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郝敏

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇刻蚀
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学刻蚀
  • 2篇多晶
  • 2篇掩模
  • 2篇体硅
  • 2篇键合
  • 2篇硅
  • 2篇金
  • 2篇场发射阴极
  • 1篇电子发射
  • 1篇电子发射性能
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇硼化物
  • 1篇化物
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇发射电流

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇郝敏
  • 2篇王力
  • 2篇蒋亚东
  • 2篇严炎
  • 2篇廖明杰
  • 2篇杜晓松
  • 1篇曹贵川
  • 1篇祁康成
  • 1篇林祖伦
  • 1篇王小菊

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种多晶六硼化物环形场发射阴极及其制备方法
本发明属于阴极场发射技术领域，具体是提供一种结构稳定的多晶六硼化物环形场发射阴极及其制备方法。该场发射阴极呈同心圆环状阵列分布，其横截面为间隔分布的尖锥状突起，其材料为稀土金属或碱土金属与硼形成的具有CaB<Sub>6<...
林祖伦郝敏王小菊祁康成曹贵川
文献传递
一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法
本发明公开了一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，包括以下步骤：首先在第一硅片上形成金的掩模图形，然后利用金掩模对第一硅片进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，形成体硅微结构，最后将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，进行金硅...
杜晓松廖明杰王力蒋亚东严炎郝敏
一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法
本发明公开了一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法，包括以下步骤：首先在第一硅片上形成金的掩模图形，然后利用金掩模对第一硅片进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，形成体硅微结构，最后将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上，进行金硅...
杜晓松廖明杰王力蒋亚东严炎郝敏
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多晶六硼化镧场发射性能研究
在各种高能加速器和高频微波器件等设备中，常常需要性能优良的阴极材料提供亮度高、品质好、电流密度大的电子束。与热阴极相比，场发射阴极具有不需要加热、启动快、脉冲发射电流密度大等很多优点、是电真空器件和各种高能加速器的理想电...
郝敏
关键词：场发射阴极电化学刻蚀场发射性能射频磁控溅射法
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