郝文涛
- 作品数：26 被引量：7H指数：2
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>
- 一种高气体响应和选择性的LaFeO<Sub>3</Sub>基乙醇气体传感器元件及其制备方法
- 本发明属气体传感器技术领域，提供一种高气体响应和选择性的LaFeO<Sub>3</Sub>基乙醇气体传感器元件及其制备方法，利用溶胶凝胶法制备LaFeO<Sub>3</Sub>和BaTiO<Sub>3</Sub>纳米粉体...
- 曹恩思陈建宾王慧慧张雍家孙礼郝文涛
- 一种高介电常数、低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4-x</Sub>Zr<Sub>x</Sub>O<Sub>12</Sub>陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种利用溶胶-凝胶法制备的具有高介电常数和低介电损耗Zr掺杂CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>陶瓷材料的方法，属于电介质材料合成技术领域。具体方法如下：采...
- 孙礼郝文涛石永杰彭华曹恩思
- 一种宽频介电材料测量系统与方法
- 本发明公开了一种宽频介电材料测量系统与方法，由上位机PC、锁相放大器、单片机、自动平衡电桥电路组成。上位机控制锁相放大器输出测量激励信号，采用自由轴测量法，通过锁相放大器测量待测样品与参考电阻的电压幅值、相位角，经上位机...
- 黄海涛郝文涛孙礼张翠玲赵江鹏
- 文献传递
- NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
- 2014年
- 利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。
- 郝文涛徐攀攀张家良曹恩思彭华
- 高密度CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性质被引量：2
- 2014年
- 利用热压方法制备了高密度的CaCu3Ti4O12陶瓷,研究了其微观结构、晶格结构和介电性质。实验发现,短时间热压方法制备的陶瓷的相对密度就能达到98.3%,并且微观结构呈现晶粒尺寸双峰分布的特点。XRD显示热压方法制备的陶瓷中含有少量的Cu2O第二相,而经过退火处理的热压陶瓷则只含有CuO第二相。热压方法制备的陶瓷和经过退火处理的热压陶瓷的室温介电频谱上有两个介电弛豫,而常规方法制备的陶瓷只有一个。并且热压方法制备的陶瓷的低频介电常数高达2×105,经过退火处理的热压陶瓷的低频介电常数更是达到1×106。本研究进一步讨论了其微观结构和介电性质之间的关系。
- 郝文涛张家良徐攀攀曹恩思彭华
- 关键词：CACU3TI4O12微观结构介电性质
- 一种低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种利用溶胶-凝胶法制备低介电损耗CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>陶瓷材料的方法，属于电介质材料合成技术领域。具体方法如下：采用溶胶-凝胶方法，以硝酸钙...
- 孙礼郝文涛王振铎曹恩思张雍家
- 文献传递
- 具有超快响应恢复特性的乙醇气体传感器元件的制备方法
- 本发明公开了一种具有超快响应恢复特性的乙醇气体传感器元件的制备方法，选用溶胶凝胶法制备出的非化学计量比LaFe<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米颗粒为工作物质，制备成旁热式陶瓷管气体传感器元件。通过减...
- 曹恩思张雍家曹康孙礼郝文涛
- 文献传递
- 一种高灵敏度低工作温度乙醇气体传感器元件的制备方法
- 本发明公开了一种高灵敏度低工作温度乙醇气体传感器元件的制备方法，选用改进溶胶凝胶法制备出的LaFeO<Sub>3</Sub>纳米颗粒为工作物质，制备成旁热式陶瓷管气体传感器元件。通过前驱体中乙二醇EG的加入，增加溶液中阳...
- 曹恩思张雍家杨玉青崔婷婷孙礼郝文涛彭华
- 文献传递
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电性的起因机制被引量：4
- 2011年
- 为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz～100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz附近呈现两个类Debye型弛豫.抛除表面层的同一个样品分别溅射金电极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱,发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感,而高频介电弛豫与电极的金属类型无关,与材料微观结构存在着密切的关系.因此推断:CCTO低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗尽层效应,而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应.
- 郝文涛张家良谭永强郑鹏王春雷
- 关键词：高介电材料
- 一种溶胶‑凝胶法制备锰酸锶镧/钛酸铜钙复合磁电陶瓷材料的方法
- 本发明属陶瓷合成技术领域，提供一种溶胶‑凝胶法制备锰酸锶镧/钛酸铜钙复合磁电陶瓷材料的方法。用溶胶‑凝胶法分别制备锰酸锶镧即LSMO前驱体粉末、钛酸铜钙及CCTO前驱体粉末，LSMO和CCTO的前驱体粉末混合后加入粘合剂...
- 孙礼郝文涛张茹曹恩思张雍家郭建琴
- 文献传递
