您的位置: 专家智库 > >

陈建勇

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:西南师范大学物理科学与技术学院(电子信息工程学院)物理学系更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划重庆市应用基础研究项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇正电子
  • 2篇隧道结
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇溅射
  • 2篇磁性隧道结
  • 1篇电导
  • 1篇电流强度
  • 1篇电流驱动
  • 1篇射线
  • 1篇特性分析
  • 1篇气相沉积
  • 1篇微结构
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米磁体
  • 1篇纳米相
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇非晶

机构

  • 4篇西南师范大学
  • 2篇南京大学

作者

  • 4篇陈建勇
  • 4篇刘存业
  • 3篇陈志谦
  • 2篇倪刚
  • 2篇徐庆宇
  • 1篇赵保刚
  • 1篇王跃
  • 1篇王玉
  • 1篇李建

传媒

  • 3篇西南师范大学...
  • 1篇第八届全国正...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2002
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
纳米相铁磁多层膜特性分析被引量:1
2002年
用高真空多靶离子束溅射沉积技术制备Fe/Al2 O3 /Fe隧道结样品 ,观测和分析了“三明治”结构的双Hc磁滞特性 .通过样品的V
刘存业李建陈志谦陈建勇徐庆宇倪刚
关键词:纳米相磁性隧道结溅射纳米磁体
CVD生长金刚石膜正电子寿命分析
通过热丝化学汽相沉积(CVD)技术工艺在Si(100)基底上制备的金刚石膜,使用美国ORTEC公司制造的正电子湮没寿命谱仪进行了测量分析,并采用PATFIT-88程序作了解谱计算.研究发现,在金刚石膜中微观缺陷的产生取决...
刘存业陈志谦赵保刚王玉陈建勇
关键词:金刚石膜化学气相沉积
文献传递
磁性隧道结电阻与电流驱动相关性分析(英文)
2002年
利用离子束高真空复合溅射装置置备具有Ta缓冲层和Ta Fe Ta覆盖表面层的Fe Al2O3 FeCo的磁性隧道结.在零磁场下观测隧道结电导和结电阻面积积(RA)与垂直射入隧道结平面的自旋极化发射电流的依赖关系.研究发现,磁性隧道结的电导和RA的发射电流驱动效应取决于隧道结的物相成分、微结构和电流强度.在大驱动电流范围观测到电导特性不同的4个区域.
陈建勇刘存业陈志谦徐庆宇倪刚
关键词:磁性隧道结电流驱动离子束溅射电流强度
金刚石膜微结构分析被引量:2
2003年
对在Si(100)基底上利用化学汽相沉积(CVD)法制备的金刚石膜,采用X 射线衍射(XRD)技术和正电子湮没谱学(PAS)原理进行了有关物相成分和微结构的测量分析.研究发现,在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异.结果表明,金刚石膜体和表面的结晶、微晶和非晶结构与正电子谱分析的3种正电子态相符合.
刘存业王跃陈建勇
关键词:金刚石膜微结构非晶结构
共1页<1>
聚类工具0