陈敬
- 作品数：7 被引量：14H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺水利工程更多>>
- 高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性被引量：5
- 2012年
- 在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重的损伤,使其内部产生了大量的缺陷,在某些被测晶面甚至出现非晶化。通过等时退火,缺陷逐渐消失,晶格开始恢复,其恢复特性由退火温度决定。通过X射线衍射峰的峰高和峰型发现,在温度低于600℃时,辐照损伤几乎不变,超过600℃后,温度越高,晶格恢复现象越明显。原来经辐照呈非晶化的晶面逐渐恢复有序,(006)面衍射峰的半高宽随退火温度的升高呈线性恢复。利用此种线性规律可以制作无线传感器,从而实现对某些复杂环境的温场测试。
- 祝威阮永丰陈敬马鹏飞王鹏飞黄丽
- 关键词：6H-SIC中子辐照X射线衍射
- 中子辐照α-Al_2O_3单晶的光学性质研究
- 2012年
- 本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究。吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F22+和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失。光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F22+色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰。625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心。657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO)。此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽。
- 祝威黄丽陈敬侯贝贝王鹏飞阮永丰
- 关键词：AL2O3中子辐照色心光学性质
- 三门峡库区河网水沙数学模型及河道分形分析
- 自黄河流域生态保护和高质量发展座谈会举行以来，各部门积极响应、统筹规划，坚持贯彻黄河大保护政策方针，努力保障黄河长治久安和促进黄河流域高质量发展。其中，三门峡水库作为中游干流上第一座大型水利枢纽，对黄河中游流域的水沙调控...
- 陈敬
- 关键词：水流模型泥沙模型
- 文献传递
- 中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析被引量：1
- 2014年
- 利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。
- 侯贝贝阮永丰李连钢王鹏飞黄丽陈敬
- 关键词：中子辐照光学性质
- 中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响被引量：3
- 2013年
- 在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小。测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1000和1400℃两个特征温度。当退火温度低于1000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降。在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释。测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5×104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。
- 陈敬阮永丰李连刚祝威王鹏飞侯贝贝王帅
- 关键词：中子辐照退火电阻率介电性能
- 中子辐照6H-SiC晶体的电学性能及其退火研究
- SiC是重要的抗辐照材料,由于具有众多的优良特性,近年来受到越来越多的关注。作为结构功能材料,SiC/SiC复合材料在聚变堆面向等离子体元件的制备方面具有巨大的应用潜力。这些产品在使用过程,因受到载能离子的辐照而产生大量...
- 陈敬
- 关键词：中子辐照退火工艺电学性能
- 文献传递
- 中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质被引量：5
- 2013年
- 利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在。中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1600℃退火后完全回复。Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538cm-1处的Si—Si键振动模,600、655和709 cm-1处的Si—C键振动模和1419cm-1处C—C键振动模。辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移。在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失。
- 王鹏飞阮永丰侯贝贝陈敬
- 关键词：碳化硅中子辐照光学性质
