陈继义
- 作品数：38 被引量：44H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- ＜正＞1.引言GaAs MMIC控制电路由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统和设备中获得广泛地应用。众所周知,在现代先进的移动通信等系统（如空间分集智能天线和相控阵系统）...
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 文献传递
- 一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
- 2002年
- 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB.芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm.芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路超宽带相移可变衰减器
- 高速匹配型PIN衰减器
- 1989年
- 为了适应当前电子系统工程中所提出的要求,南京电子器件研究所开展了宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作。 众所周知,受控速度低的PIN衰减器,一般电性能指标均较为优良,尤其插入损耗可以做得较小,在C,X,Ku波段内可分别小于0.6dB,0.8dB,1.0dB。然而,当要求受控速度高时,尤其控制速度在纳秒数量级时,PIN衰减器的研制不仅对PIN二极管有较高要求,而且还须精心考虑偏置电路与要求提供快速激励源。此外,对PIN衰减器本身的研制也带来一定的困难,主要表现在:由于PIN二极管的Ⅰ层减薄引起微波插入损耗增大和承受功率降低。为此,宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作重点放在减小插入损耗,提高受控速度,增大动态范围等几个方面。 在部件设计中采用了CAD技术。编制了三个分析程序和一个综合程序,对快速受控匹配型PIN衰减器进行了优化设计,其典型性能列于表1,实物外形见本期封底照片。
- 陈继义
- 关键词：PIN衰减器
- 一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
- 2002年
- 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB。芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm。芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好。
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓相移可变衰减器
- GaAs MESFET开关模型被引量：2
- 2002年
- 本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。
- 陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬
- 一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器被引量：1
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法陈继义李拂晓陈效建
- 关键词：数字移相器多倍频程砷化镓单片集成电路
- 几种新颖的超小型1-26GHz高性能11.25°GaAsMMIC移相器
- 本文介绍的移相器特点是:通过相对直流电位差的原理实现开关MESFET多极性控制信号的增容,并在超宽带频率范围内,不影响微波电性能,也不影响控制信号的开关速度.提高了系统的可靠性.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：移相器
- 文献传递
- 宽带GaAs MESFET开关模型
- 本文提出了一种MESFET开关的模型—附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性。器件测试值与模型模拟值吻合较好。
- 陈新宇陈继义陈效建郝西萍蒋幼泉李拂晓
- 关键词：开关宽带MESFET
- 文献传递
- 高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关被引量：3
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建
- 关键词：砷化镓SPDT开关集成电路
- 三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器被引量：3
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建林金庭
- 关键词：超宽带单片移相器MMIC集成电路
