马良
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
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- 相关领域：电气工程理学文化科学电子电信更多>>
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ni－Al二元合金薄膜，然后在Ni－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用...
- 刘保亭马良霍骥川邢金柱边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 言语角度的小学英语教材分析
- 英语教材反映着英语课程标准的理念，是英语课堂教学的凭借，是英语课程实施的核心之一。英语教材分析历来受到英语教育教学实践者的重视，他们从各种角度对各级各类英语教材进行了大量的分析研究。但是其中综合地从言语角度对特定英语教材...
- 马良
- 关键词：小学英语教材分析
- 文献传递
- 含Cu硅基铁电薄膜的集成研究
- 马良
- 硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究被引量：1
- 2006年
- 应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm。研究了异质结的结构和性能。实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω.cm。
- 刘保亭程春生赵庆勋闫正马良李锋武德起
- 关键词：硅衬底锆钛酸铅溶胶-凝胶法厚膜
- TMS320F2812构成的感应加热逆变控制器
- 2014年
- 针对现阶段感应加热领域逐渐数字化的趋势,将DSP芯片应用在感应加热电源的逆变器控制上,以达成频率跟踪与定角控制,从而实现智能控制,使得逆变器的控制与调整更加简单可行。分析了感应加热电源装置的发展趋势及其电源中逆变器的控制要求,设计了基于DSP的并联谐振式感应加热电源中的逆变器的控制主电路,成功实现了频率跟踪和定角控制。
- 马良胡聪权
- 关键词：逆变器控制DSPTMS320F2812
- 大功率高频并联谐振逆变器拓扑结构研究被引量：4
- 2013年
- 为了实现感应加热电源的高频化、高效率化及高功率输出能力,在双开关T型并联谐振逆变器拓扑结构的基础上,提出了以MOSFET作为开关的、由T型拓扑结构串联构成的双T型并联谐振逆变器电路结构形式。它能输出理想的正弦电压波形,开关元件工作在零电压开关(ZVS)状态,降低了开关损耗,使工作频率、效率和功率输出能力得以提高,且工作状态稳定、易控制。详述了电路的构成及工作原理,分析了电流、电压的关系,最后给出了实验结果。
- 胡聪权胡佳玺耿浩杰马良
- 关键词：逆变器并联谐振感应加热电源
- 双开关T型并联谐振逆变器拓扑结构研究被引量：3
- 2012年
- 为实现感应加热电源高频化、高效率化及高功率输出能力,提出了以MOSFET作为开关的T型并联谐振逆变器电路拓扑结构。它能够输出理想的正弦电压波形,开关元件工作在零电压开关(ZVS)状态,降低了开关损耗,提高了工作频率和效率。逆变器的ZVS工作状态不受负载影响,且工作状态稳定,易控制。详述了电路构成及工作原理,研究并分析了电流、电压的关系,最后给出了实验结果。
- 胡聪权赵丽君马良耿浩杰
- 关键词：逆变器并联谐振
- 含Ti-Al阻挡层的硅基Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O_3铁电电容器的研究被引量：1
- 2007年
- 应用非晶的Ti-Al薄膜作为导电阻挡层,通过溶胶-凝胶法和磁控溅射法成功地在Si基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Nb0.02Zr0.39Ti0.59)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PNZT/LSCO)电容器异质结,研究了该异质结的铁电性能。当外加电压为5V时,LSCO/PNZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为-18.0μC/m2,矫顽电压为-0.7 V,该电容器具有较好的保持持性和抗疲劳特性。
- 刘保亭马良边芳闫小兵张新赵庆勋闫正
- 关键词：铁电存储器TI-AL
- 基于DSP的感应加热电源逆变控制器的研究与实现
- 感应加热电源是感应加热工艺的重要设备之一,从原理上讲,它就是一种将交流电源转化为直流再转化为我们所需要频率的交流电源的设备。 现阶段感应加热电源逆变器控制电路多由模拟器件构成,比如利用集成锁相环CD4046构成的锁相环...
- 马良
- 关键词：感应加热电源DSP芯片
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- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti-Al二元合金薄膜，然后在Ti-Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用T...
- 刘保亭马良邢金柱霍骥川边芳赵庆勋郭庆林王英龙
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