- 锗酸铋晶体二波耦合效应的研究
- 1994年
- 本文叙述了锗酸铋晶体的生长。采用二波耦合光路测试ＢＧＯ晶体的衍射效率和增益系数，研究ＢＧＯ晶体的二波耦合中光波的位相变化。
- 高元凯李铭华金婵徐玉恒刘景和杨奎盛
- 关键词：锗酸铋晶体二波耦合衍射增益
- Ce：Eu：LiNbO_3晶体的相位共轭镜性能及其应用研究被引量：7
- 1994年
- 本文介绍了用溶体提拉法生长Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体，并以该晶体作为相位共轭镜，采用四波混频方法实现了相位共轭波输出，在全光学实时全息关联存储系统中取得了良好的结果。
- 李铭华高元凯贾晓林许世文
- 关键词：铌酸锂晶体相位共轭
- Ce：Eu：LiNbO_3晶体的生长及其二波耦合效应的研究被引量：1
- 1994年
- 本文报道了Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长。采用二波耦合光路研究和测试了晶体的增益系数、衍射效率、全息擦除特性和晶体的光电导。Ｃｅ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体具有优异的光折变性能，是优良的全息存储介质材料。
- 贾晓林高元凯赵华张景文李铭华徐崇泉刘景和杨奎盛
- 关键词：铈二波耦合晶体铌酸锂
- Bi:BGO单晶相位共轭效应的研究
- 1992年
- 本文采用提拉法生长BGO单晶和Bi:BGO单晶,测试晶体相位共轭反射率和响应时间,发现Bi:BGO晶体相位共轭反射率比BGO晶体提高了一倍。研究了Bi:BGO晶体相位共轭反射率与外电场的关系,以及Bi:BGO晶体的光折变机理。
- 李铭华刘彩霞贾晓林徐玉恒高元凯孙光跃
- 关键词：单晶相位共轭光折变锗酸铋晶体
- Ce：Mn：LiNbO_3晶体的生长及其相位共轭效应被引量：1
- 1994年
- 在ＬｉＮｂＯ＿３中同时掺入ＣｅＯ＿２和ＭｎＯ＿２，生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体，对晶体的晶格常数和吸收光谱的测试表明，Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体结构规则，光学性能优良。它的四波混频相位共轭反射率高达９００％以上，且具有相位共轭波温度增强效应。
- 高元凯宋磊徐玉恒刘劲松安毓英
- 关键词：光学晶体晶体生长相位共轭
- 电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究被引量：1
- 2002年
- 利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。
- 韩爱珍王喜莲高元凯
- 关键词：三元化合物半导体薄膜砷化镓镓铝砷化合物
- Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长与其四波混频效应的研究被引量：4
- 1996年
- 本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长．采用简并四波混频光路测试晶体相位并轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应．在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四渡混频中，获得了变频相位共轭光。具有温度增强效应。
- 韩爱珍孙尚文高元凯葛云成
- 关键词：引上法晶体生长光折变效应铌酸锂
- Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究
- 2000年
- 在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。
- 杨春晖叶水驰韩爱珍高元凯
- 关键词：ALGAAS三元化合物络合剂
- 高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究被引量：2
- 1995年
- 本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能——双折射梯度和消光比、晶体的光折变阈值、红外透射光谱和光电导。用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关，研究了它们的性能和应用。
- 韩爱珍高元凯孙尚文
- 关键词：掺镁铌酸锂晶体生长激光器
- m线法研究掺杂LiNbO_3晶体波导基片的光损伤被引量：1
- 1994年
- 采用ｍ线法研究了掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体波导基片的光损伤，发现抗光损伤能力依次为Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３、Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（氧化），Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（还原）。对于同样材料，质子交换光波导的抗光损伤能力高于钛扩散光波导。
- 许世文李铭华高元凯徐玉恒袁茵万立德
- 关键词：波导光损伤铌酸锂
