魏芹芹
- 作品数：41 被引量：70H指数：5
- 供职机构：山东理工大学电气与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 合成鱼骨外形氮化镓纳米棒(英文)
- 2003年
- 通过氨化射频溅射工艺生长 Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上成功地合成了六方 Ga N纳米棒 .用 X射线衍射(XRD)、扫描电镜 (SEM)、高分辨率透射电镜 (HRTEM)和光致发光光谱 (PL)对生成的产物进行了分析 .合成的纳米棒中有部分一维线状结构表面有规则的突起 ,呈现鱼骨外形 .这种具有青鱼骨外形的纳米棒由六方单晶 Ga N纳米晶粒沿轴向错落排列而成 .室温下观察到 Ga
- 杨利庄惠照王翠梅魏芹芹薛成山
- 关键词：氮化镓GAN纳米棒氨化氧化镓
- 硅基磁控溅射Ga<,2>O<,3>/A1<,2>O<,3>膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究
- 在该论文中,我们利用磁控溅射的Al<,2>O<,3>作为缓冲层在Si(111)衬底上制备GaN膜,这首先可以解决以上提到的三个困难;另外,在硅与GaN之间引入一层α-Al<,2>O<,3>绝缘层对于实现硅-绝缘体技术和三...
- 魏芹芹
- 关键词：磁控溅射氨化
- 文献传递
- 在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究被引量：2
- 2014年
- 在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)分别在n-Si(111)、蓝宝石(001)和非晶石英衬底上生长了ZnO薄膜。首先对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,找出在三种不同衬底上制得的结晶质量最好的ZnO薄膜所对应的最佳衬底温度。然后对最佳衬底温度下得到的ZnO薄膜分别进行了X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)分析。结果表明,在硅衬底上生长的ZnO薄膜XRD谱半高宽最小,PL谱特征发光峰强度最强,AFM下的平均粒径最大,说明硅衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最好,而在石英衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最差。
- 何建廷魏芹芹杨淑连李田泽
- 关键词：ZNO薄膜衬底脉冲激光沉积XRDPLAFM
- 硅基磁控溅射Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究
- 近年来，宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于其体单晶难以制备，生长高质量的单晶薄膜材料是研究开发GaN基器件的基础。目前，蓝宝石...
- 魏芹芹
- 关键词：GAN磁控溅射氨化
- 文献传递
- PEG化纳米金在亲和吸附剂配体筛选中的应用
- 亲和吸附剂具有选择性高、成本低廉、制备简单等优点，被广泛用于于生物大分子的分离纯化及环境治理。然而亲和吸附剂配体筛选需经大量吸附实验，费时费力，限制了其进一步的应用。因此发展高效、快速的亲和吸附剂配体筛选新方法在亲和色谱...
- 魏芹芹
- 关键词：光学性质
- 文献传递
- 脉冲激光沉积法生长的石英基ZnO薄膜特性被引量：3
- 2019年
- 以石英为衬底,采用脉冲激光沉积法在多种衬底温度下生长ZnO薄膜。通过对石英基ZnO薄膜X射线衍射(XRD)和分光光度计的测量,分析了薄膜的多种结构和光学参数,研究了衬底温度对薄膜的结晶质量和光学性质的影响。XRD结果显示,衬底温度为500℃时得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。分光光度计得到的透射图谱及其微分图谱表明,ZnO薄膜的禁带宽度随衬底温度的升高而减小。
- 何建廷魏芹芹杨淑连王雅静
- 关键词：脉冲激光沉积X射线衍射禁带宽度
- 基于纳米金溶胶的新型亲和吸附剂配体筛选方法
- ＜正＞亲和吸附剂由于具有选择性高、适用性广等优点,在生物活性物质分离、天然产物的提取及血液净化、污水处理等方面得到广泛的应用。亲和吸附剂的配体是决定亲和吸附剂选择性及分离效率的关键因素之一。因此,开发简便、高效、灵敏的亲...
- 王蔚王珺魏芹芹王碧翠袁直
- 文献传递
- Si(111)衬底上生长 GaN 晶环的研究(英文)
- 2004年
- 利用热壁化学气相沉积在 Si(111)衬底上获得 GaN 晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X 射线衍射(XRD),光致发光(PL) 谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析。初步结果证明:在 Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的 GaN 晶环。SEM 显示在均匀的薄膜上出现直径约为 10 μm 的 5 晶环,由 XRD 和 SAED 的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR 显示 GaN 薄膜的主要成分为 GaN,同时含有少量的 C 污染,PL 测试表明晶环呈现不同于 GaN 薄膜的发光特性。
- 王显明孙振翠魏芹芹王强曹文田薛成山
- 关键词：氮化镓
- 氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响被引量：1
- 2004年
- 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。
- 曹文田孙振翠魏芹芹薛成山庄惠照高海永
- 关键词：射频磁控溅射半导体
- 多功能有源频率选择表面被引量：2
- 2016年
- 基于开关型有源频率选择表面(AFSS)的波束可重构天线,通过电感性金属网栅表面平行和垂直两个方向周期嵌入PIN二极管电控微波开关,得到了一种多功能AFSS设计结构,该结构不仅能够实现通带开关功能,而且还能够实现极化分离功能。采用等效电路模型进行分析,并利用谱域法给出了每组PIN管不同偏置情况的FSS频率响应特性,结果表明:当两组二极管同时导通可在TE、TM极化时实现大于8GHz频段的全透射高通滤波功能,当两组二极管同时截止可在TE、TM极化时实现9.3GHz频点的全反射带阻滤波,而仅一组导通时在9.3GHz具有TE、TM极化分离器的功能。该结构可方便地调整偏置电压控制二极管通断,为复杂电磁环境下应用的FSS提供新的设计思路。
- 贾宏燕李田泽杨淑连魏芹芹刘洋徐芝美
- 关键词：PIN二极管开关功能极化分离器
