黄攀
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目湖北省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电气工程更多>>
- 钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。
- 黄攀王传彬沈强张联盟
- 关键词：磁控溅射退火处理
- 钛酸铋陶瓷靶材的热压烧结被引量：3
- 2010年
- 纯相、高致密度、结晶良好的陶瓷靶材是物理气相沉积薄膜的前提。采用热压烧结方法制备钛酸铋(Bi4Ti3O12)陶瓷靶材,重点研究了制备工艺对靶材的物相、微观结构和致密度的影响。以Bi2O3和TiO2微粉为原料,采用固相反应法,在800℃合成出纯相的Bi4Ti3O12粉体;加入过量3wt%的Bi2O3,可以有效防止烧结过程中因Bi挥发所产生的杂相,得到纯相的Bi4Ti3O12陶瓷;采用热压烧结方法,进一步实现了Bi4Ti3O12粉体的致密烧结,确定了适宜的制备条件为850℃,30MPa,2h,在该条件下制备的Bi4Ti3O12陶瓷致密度达到99%,晶粒呈片层状,大小约2～4μm,可满足靶材制备薄膜的需求。
- 傅力王传彬黄攀沈强张联盟
- 关键词：BI4TI3O12陶瓷靶材热压烧结
- 气压对射频磁控溅射Bi4Ti3O12薄膜的影响
- 2011年
- 在不同溅射气压下，采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋（Bi4Ti3O12）薄膜。在较低的气压（0.45-0.8Pa）下，得到了单相的Bi4Ti3O12薄膜；在较高气压（1.0-1.8Pa）下，薄膜中出现Bi2Ti2O7焦绿石相；随着气压的增加，薄膜的沉积速率和晶粒尺寸先增大后减小，表面粗糙度也逐渐增加；在适宜的气压（0.6Pa）下，得到的Bi4Ti3O12薄膜物相单一、表面平整致密、结晶良好。
- 黄攀彭健王传彬
- 关键词：射频磁控溅射溅射气压
- 溅射气压对钛酸铋铁电薄膜的影响
- 在不同的溅射气压(0.45～1.8Pa)下，采用射频磁摔溅射技术在Pt／Ti/SiO2／Si衬底上制备钛酸铋(Bi4Ti3O12)铁电薄膜，重点研究了溅射气压对薄膜沉积速率、物相、结晶性和表面形貌等的影响。结果表明，在较...
- 黄攀王传彬沈强张联盟
- 关键词：磁控溅射溅射气压
- 文献传递
