丁继军
- 作品数：5 被引量：22H指数：3
- 供职机构：西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Cu掺杂对ZnO纳米薄膜的结构及其光学特性的影响被引量：10
- 2010年
- 采用磁控溅射法(RF)在玻璃基底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分别对样品的形貌进行了表征,并对ZnO薄膜进行了应力分析.结果显示:所有样品都呈现出(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;所有样品出现有3个发光峰,分别对应于400 nm(3.14 eV,紫光),444 nm(2.78 eV,蓝光),484 nm(2.56 eV,蓝光).紫峰的存在与激子的存在有极大关系,而蓝光发射主要是由于电子从导带上向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁.随着Cu掺杂量的增加,薄膜的带隙宽度Eg随之减小,样品光学带隙值由3.26 eV逐渐减小为2.99 eV.实验中还发现,随着Cu掺杂量增加,薄膜的透射率也随之减小.
- 马书懿毛雷鸣马慧史新福周婷婷丁继军
- 关键词：AFM光致发光光学带隙透射
- 温度对传感器气敏材料电阻的影响研究被引量：4
- 2009年
- 从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感。实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响。通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较。结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为。
- 丁继军马书懿陈海霞
- 关键词：气敏材料电阻温度
- 不同Al掺杂对ZnO薄膜结构及光学性质的影响被引量：6
- 2009年
- 采用磁控溅射法(RF)在玻璃衬底上沉积不同Al含量的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计研究了不同浓度的掺杂对薄膜结构和光学性能的影响.结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;薄膜表面平整光滑,晶界较明显;薄膜的平均透射率均在85%以上,并随着Al掺杂量的增加而降低;随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小,吸收边先蓝移,后红移.这与量子限制模型计算结果的变化趋势完全一致.
- 马书懿史新福袁玉凤毛雷鸣丁继军周婷婷
- 关键词：磁控溅射法掺杂透射
- Fe的不同掺杂量对ZnO薄膜光致发光的影响被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了不同掺杂量的Fe-ZnO薄膜,分析不同掺杂量对薄膜光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究Fe-ZnO薄膜的微观结构和形貌结构。Fe-ZnO薄膜光致发光(PL)性质的研究发现,发光峰主要有蓝光发射和绿光发射,蓝光发射主要是由于电子从导带向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁;绿光发射是由于电子从氧空位到锌空位的能级跃迁及导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。由透射谱和吸收谱分析,Fe-ZnO薄膜在可见光区的平均透过率为66%,掺杂量为2%Fe的薄膜的禁带宽度最接近于ZnO的禁带宽度。
- 周婷婷马书懿毛雷鸣丁继军史新福
- 关键词：掺杂光致发光跃迁透射
- ZnO：Al薄膜的微结构表征和光学特性研究
- ZnO是一种自激活半导体材料,具有六角纤锌矿晶体结构,室温下直接带隙宽度为3.2 ~ 3.4 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO无毒,原料廉价易得,且具有较高的化学、机械稳定性及优异的光电学特性,有望在光发射二极管...
- 丁继军
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射光学特性
- 文献传递
