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刘世国

作品数：9 被引量：17H指数：3
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市21世纪青年科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信建筑科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 6篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇非晶硅
  • 2篇太阳电池
  • 2篇外保温
  • 2篇加热器
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇非晶
  • 2篇保温
  • 1篇电场诱导
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层太阳电池
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇压强
  • 1篇填充因子
  • 1篇硼合金
  • 1篇气体流
  • 1篇气体流动
  • 1篇气体压强
  • 1篇氢化非晶硅

机构

  • 8篇南开大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 9篇刘世国
  • 7篇孙云
  • 7篇耿新华
  • 5篇李洪波
  • 4篇陆靖谷
  • 4篇孙建
  • 3篇孙钟林
  • 3篇王广才
  • 3篇徐温元
  • 2篇孙军
  • 2篇李清连
  • 1篇王宝辉
  • 1篇于振瑞
  • 1篇王德军

传媒

  • 3篇太阳能学报
  • 2篇半导体杂志
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇应用化学

年份

  • 2篇2024
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1995
  • 2篇1994
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
非晶硅锗单结电池的研究
1997年
ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。
王广才孙建耿新华孙云李洪波刘世国陆靖谷
关键词：电池
SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响被引量：4
1995年
用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。
耿新华刘世国李洪波孙云孙钟林徐温元
关键词：接触特性填充因子硅太阳电池
掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究被引量：7
1994年
对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当接Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率为４．３５ｓｃｍ－１，迁移率为１４０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好的太阳电池窗口材料。
于振瑞耿新华孙云刘世国孙钟林徐温元
关键词：晶核多晶硅
掺杂蓝宝石生长方法
本发明提供一种掺杂蓝宝石生长方法，属于晶体生长技术领域。所述生长方法包括以下步骤：(1)将坩埚放置在保温装置的保温腔内；(2)通过控制加热器把坩埚内蓝宝石原料加热融化成熔体；(3)通过控制加热器的温度，控制坩埚底部的蓝宝...
李清连刘世国郝永鑫赵晨成孙军
氢化非晶硅薄膜的电场诱导锂离子注入及其光伏特性
1995年
采用电化学方法，在电场诱导下，对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行锂离子注入，并用光电化学方法对不同条件下处理的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明，处理电位小于－０．６０Ｖ时，理离子注入明显，经过注入的薄膜光伏响应提高６０％左右．
王宝辉王德军李铁津耿新华刘世国孙云孙钟林
关键词：非晶硅锂离子注入电场诱导
大面积高效率高稳定非晶硅太阳电池的研究被引量：2
1998年
根据电流连续性原则和光伏材料选择原则，对叠层电池的电流匹配进行了研究。结果表明，电流匹配是影响叠层电池短路电流和转换效率的重要因素之一，电流匹配可以通过调整单元电池厚度来实现。在此基础上，获得了面积为４００ｃｍ２，转移效率分别为８．２８％、７．５２％和６．７４％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ、ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ和ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ高效率叠层电池。
王广才耿新华李洪波孙云孙建陆靖谷刘世国
关键词：叠层太阳电池
高质量非晶硅锗材料的研制被引量：3
1997年
ａ－ＳｉＧｅ∶Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强、掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．
王广才耿新华孙云李洪波孙建刘世国陆靖谷
关键词：气体压强
P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究被引量：2
1994年
用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。
耿新华孙云刘世国李洪波陆靖谷孙建徐温元
关键词：微晶化
彩色宝石生长方法
本发明提供一种彩色宝石生长方法，属于晶体生长技术领域。所述生长方法包括以下步骤：(1)将坩埚放置保温腔内；(2)通过控制加热器把蓝宝石原料加热融化成熔体；(3)通过控制加热器和热交换杆控制坩埚底部的籽晶融化程度；(4)缓...
李清连刘世国郝永鑫赵晨成孙军
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