刘荣
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- ZnO纳米阵列基钙钛矿太阳能电池的光电性能分析被引量：1
- 2016年
- 近年来钙钛矿材料CH3NH3Pb X3(X=Cl,I,Br)因其在可见光范围的吸光系数大、成本低廉、能量转换效率高等优势而得到快速发展.本文采用低温化学水浴沉积制备出有序的Zn O纳米阵列,进一步在Zn O纳米阵列上旋涂不同体系的Ti O2,制备出Zn O/Ti O2复合阵列结构作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层,通过改变Ti O2掺入体系探究电极的微结构变化和电池光电性能.研究表明,Zn O纳米阵列经过Ti O2浆料处理的复合体系组装的电池具有最优的光电性能,进一步考察Ti O2浆料浓度对电池性能的影响表明,当Ti O2浓度为0.1 mol/L时得到最佳性能,其组装电池的开路电压(Voc)达到0.93 V,短路电流(Jsc)为15.30 m A cm-2,填充因子(FF)为43%,效率(η)为6.07%.效率的提升主要是因为钙钛矿能深入Zn O阵列的间隙,同时在阵列的上部形成了均匀致密的覆盖层,有效提高了电池的光俘获,同时抑制了载流子的复合.在Zn O/Ti O2浆料复合阵列结构优化浆料浓度的基础上,进一步对纳米阵列采用Ti Cl4溶液进行处理,电池的光电性能得到大幅提升:Voc=0.99 V,Jsc=19.09 m A cm-2,FF=58%,效率η达到11%.性能提升的原因主要是Ti Cl4溶液对复合纳米阵列的处理,引入了小Ti O2纳米颗粒到Zn O/Ti O2浆料复合阵列结构中,有效地填补了阵列中的间隙,后续旋涂钙钛矿材料,阵列上部的钙钛矿覆盖层和间隙中的钙钛矿纳米晶,其光照后产生的载流子都可以与电子传输层有很好的接触,从而快速地经由Zn O阵列传导至导电衬底,此外小纳米颗粒的引入,也增大了电极的表面积,提高了对钙钛矿物质的吸附,增大了光俘获,因而电池的整体性能都得到提高.
- 李兆松许扬刘甜冯冰洁刘荣张军段金霞王浩
- 关键词：氧化锌纳米棒钙钛矿
- 核壳型ZnO/CdTe纳米电缆阵列电极的制备、表面修饰及光电化学性能
- 随着全球经济的快速发展,能源的短缺与需求日趋严重,伴随着环境的污染阻碍了社会经济的发展。全球把目光投向了可再生能源,例如风能、水能、潮汐能、核能以及太阳能成为解决能源危机和环境的焦点。其中太阳能是用之不竭,取之不尽；并且...
- 刘荣
- 关键词：ZNO纳米线阵列纳米电缆
- 文献传递
- ZnO/CdSexTe1-x合金纳米阵列的制备及其光电化学性能的研究
- 本文首先在FTO 导电玻璃衬底上水热法生长一维ZnO 纳米棒阵列，然后采用电化学法均匀沉积CdSexTe1-x 合金，获得核壳型纳米电缆阵列结构。
- 许扬王喜娜刘荣王浩
- 关键词：ZNO纳米棒
- 双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用
- 2012年
- 以ZnO纳米棒阵列作为核，通过电化学沉积方法成功制备了致密的单壳层或者双壳层zno／CdTe／Cdse，zno／cdTe和ZnO／CdSe纳米电缆阵列光电极。对于ZnO／CdSe／CdTe纳米电缆阵列，有序且具有闪锌矿结构的CdSe和CdTe纳米壳层的厚度分别为10—20nm和7—15nm，两者之间形成了连续致密的界面层。利用未接触之前体材料之间的能带偏移和接触之后费米能级的调整，对于双壳层纳米电缆阵列，推导出在CdSe／CdTe和CdTe／CdSe界面的能级调校。对比在ZnO／CdTe／CdSe纳米电缆中CdTe／CdSe界面之间形成的负能带偏压-0．16ev，对于ZnO／CdSe／CdTe纳米电缆，CdTe的能带在CdSe的能带之上，因而在CdSe／CdTe界面之间成了0．16eV的正导带偏压。这样一个阶梯式的能带排列以及质密的界面接触，不仅使纳米电缆沿着径向具有很少的晶界，同时沿轴向电子传输速率得到加快。因此，在45mW／cm。的AMl．5G模拟光照下，zno／cdse／cdTe纳米电缆阵列光电极的饱和光电流密度高达～14．3mA／cm^2，明显高于ZnO／CdTe／CdSe，Zn0／CdSe和ZnO／CdTe纳米电缆阵列。
- 王浩王甜王喜娜刘荣
- 关键词：CDSECDTE
