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刘骁兵

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：理学文化科学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 16篇铁电
  • 15篇电畴
  • 10篇铁电薄膜
  • 6篇电压
  • 6篇铁电畴
  • 6篇存储器
  • 5篇电流
  • 4篇导体
  • 4篇淀积
  • 4篇铁电半导体
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光淀积
  • 4篇激光淀积
  • 4篇二极管
  • 4篇半导体
  • 3篇电滞回线
  • 3篇漏电
  • 3篇极化
  • 2篇电路
  • 2篇电路电流

机构

  • 18篇复旦大学

作者

  • 18篇刘骁兵
  • 17篇江安全
  • 2篇惠文渊
  • 2篇王灿
  • 2篇陈闽川

年份

  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法
提供了一种铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法，属于存储器技术领域。该铁电阻变存储器包括上电极(101)、下电极(103)以及设置于该上电极(101)和下电极(103)之间的用作存储层的铁电半导体薄膜层(102)；其中，...
江安全刘骁兵
一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法
本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法。本发明方法充分考虑到薄膜内不同微观铁电畴在外加电压作用下对宏观电容值的贡献，采用在预置脉冲后留有足够大小的弛豫时间，使注入电荷对微观...
江安全刘骁兵
文献传递
一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简...
江安全陈闽川惠文渊刘骁兵
铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法
本发明提供一种铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法，属于固态点介质性能测试技术领域。该铁电分析装置包括用于生成方波电压脉冲信号的电压脉冲发生器，所述方波电压脉冲信号偏置于铁电介质薄膜上以使其铁电畴发生极化反转，所...
江安全刘骁兵
一种铁电畴运动速度可调的脉冲电压测量法
本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为铁电畴运动速度可调脉冲电压测量铁电畴极化翻转的方法。在极化翻转过程中铁电电容上的电压等于其矫顽电压V<Sub>c</Sub>，在外加脉冲电压为V时，总的电路电流表示为I=V<S...
江安全刘骁兵
一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器。该阻变存储器依次包括衬底、底电极、铁电氧化物/半导体复合存储功能层和顶电极，由下述方法制备获得：在单晶钛酸锶或SiO<Sub>2</Su...
江安全王灿刘骁兵
一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法
本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法。本发明方法充分考虑到薄膜内不同微观铁电畴在外加电压作用下对宏观电容值的贡献，采用在预置脉冲后留有足够大小的弛豫时间，使注入电荷对微观...
江安全刘骁兵
文献传递
一种铁电畴运动速度可调的脉冲电压测量法
本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为铁电畴运动速度可调脉冲电压测量铁电畴极化翻转的方法。在极化翻转过程中铁电电容上的电压等于其矫顽电压V<Sub>c</Sub>，在外加脉冲电压为V时，总的电路电流表示为I=V<S...
江安全刘骁兵
文献传递
一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器。该阻变存储器依次包括衬底、底电极、铁电氧化物/半导体复合存储功能层和顶电极，由下述方法制备获得：在单晶钛酸锶或SiO<Sub>2</Su...
江安全王灿刘骁兵
文献传递
一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法
本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法。本发明方法首先在漏电极化的铁电薄膜上施加同极性的外加电压，测定并记录薄膜两端不同电压下通过铁电薄膜的漏电流，经曲线拟合，得到漏电流和施加电压...
江安全刘骁兵
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