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重离子核反应对单粒子翻转的影响(英文): 2015年; LET作为一个传统的工程参量,并不能完全满足单粒子翻转数据表征的需要,而且也不能直接地反映核反应的一些特性(包括核反应概率与次级粒子),因此研究了重离子与器件作用过程中核反应对单粒子翻转的影响。基于蒙特卡罗模拟与深入的分析,本研究对比了在直接电离与考虑核反应两种模式下的模拟结果。在模拟中,利用不同的重离子表征了核反应在单粒子翻转发生中所起的作用。结果显示,核反应对单粒子翻转截面的贡献依赖于离子的能量,并呈现非单调的变化关系。基于模拟的结果,建议用重离子核反应引起单粒子翻转的最恶劣情况来预估空间单粒子翻转率。; 刘天奇刘杰耿超古松习凯王斌叶兵; 关键词：单粒子翻转核反应重离子

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究被引量：1: 2015年; 宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注。利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 Me V的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μm体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR`EME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转。; 古松刘杰刘天奇张战刚姚会军段敬来苏弘侯明东罗捷耿超习凯叶兵王斌; 关键词：质子单粒子翻转核反应

一种改进的SRAM单粒子效应检测系统被引量：1: 2014年; 中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单粒子效应(Single Event Effects,SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性,所以又提出了一种改进的SRAM SEE检测方法,并研制了相关电路。该检测系统在兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的束流辐射终端上进行了多次实验,获得了一批实验数据。其中包括129Xe束流辐照条件下,对65 nm SRAM单粒子翻转的研究;12C束流辐照条件下,对65,130和150 nm商用错误纠正编码加固SRAM SEE的研究;129Xe束流辐照条件下,对普通商用SRAM单粒子锁定的研究等。实验验证了该检测系统的有效性和可靠性,为开展SRAM SEE的研究提供了重要的检测平台,并为以后开展更复杂器件SEE的研究提供了实验经验和技术基础。; 童腾苏弘王晓辉刘杰张战刚刘天奇古松杨振雷; 关键词：SRAM 单粒子效应重离子

重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响被引量：1: 2014年; 随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。; 习凯刘杰张战刚耿超刘建德古松刘天奇侯明东孙友梅; 关键词：单粒子效应 GEANT4

各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究被引量：1: 2014年; 重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;"L"型和"田"型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。; 张战刚刘杰侯明东孙友梅苏弘耿超姚会军姚会军罗捷莫丹段敬来莫丹古松翟鹏飞刘天奇; 关键词：单粒子效应静态随机存储器

集成度对半导体存储器单粒子效应的影响研究: 随着半导体存储器的特征尺寸减小到纳米级别,离子辐照大集成度器件导致单粒子效应表现出一些新效应、新现象。本文首先给出了国内外地面模拟空间单粒子效应研究所采用的加速器、离子种类、能量、LET值等现状,之后介绍半导体存储器集成...; 古松刘杰侯明东张战刚耿超习凯; 文献传递

元器件单粒子效应的地面模拟研究: 随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应的影响变得越来越严重,威胁航天器在轨安全。本工作介绍了兰州重离子加速器（HIRFL）上开展单粒子效应地面模拟的实验和理论研究。在HIRFL加速器上建立了专用的单粒子效应实验终端,为宇航器...; 刘杰张战刚耿超侯明东段敬来孙友梅姚会军莫丹罗捷翟鹏飞曾健刘建德古松习凯; 文献传递

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古松