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周隽雄
作品数:
10
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
李志刚
中国科学院微电子研究所
陈岚
中国科学院微电子研究所
王强
中国科学院微电子研究所
叶甜春
中国科学院微电子研究所
阮文彪
中国科学院微电子研究所
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作者
10篇
阮文彪
10篇
叶甜春
10篇
王强
10篇
周隽雄
10篇
陈岚
10篇
李志刚
8篇
杨飞
年份
1篇
2014
3篇
2013
1篇
2012
5篇
2011
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10
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集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件
本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法,涉及半导体器件技术领域,能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响,该方法包括:在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽,所述冗余金属沟槽的深度小于...
周隽雄
陈岚
阮文彪
李志刚
王强
叶甜春
文献传递
一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法
本发明涉及一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。本发明提供的方法通过预设分块密度下限和预设允许密度波动值,并将版图划分等大小的分块,然后利用设计规则检查工具决定每个分块...
周隽雄
陈岚
阮文彪
李志刚
杨飞
王强
叶甜春
一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法
本发明涉及一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。本发明提供的方法通过预设分块密度下限和预设允许密度波动值,并将版图划分等大小的分块,然后利用设计规则检查工具决定每个分块...
周隽雄
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文献传递
集成电路版图中冗余金属的填充方法
本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,...
杨飞
陈岚
阮文彪
李志刚
王强
周隽雄
叶甜春
一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法
本发明涉及一种对集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法。在集成电路制造过程中,为改善平坦化效果往往会在版图中进行冗余金属填充,而冗余金属对耦合电容存在着很大影响。在兼顾到这一点的情况下,本发明提供了一种集成电路金...
王强
陈岚
阮文彪
李志刚
杨飞
周隽雄
叶甜春
一种化学机械研磨工艺建模的集成电路版图结构
本发明公开了一种化学机械研磨工艺建模的集成电路版图结构,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。所述版图中包含多个长度和宽度大于100微米的矩形结构模块,模块与模块之间的距离为模块间距,所述模块间距大于100微米,模块由...
阮文彪
陈岚
李志刚
王强
杨飞
周隽雄
叶甜春
文献传递
集成电路版图中冗余金属的填充方法
本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,...
杨飞
陈岚
阮文彪
李志刚
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一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法
本发明涉及一种对集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法。在集成电路制造过程中,为改善平坦化效果往往会在版图中进行冗余金属填充,而冗余金属对耦合电容存在着很大影响。在兼顾到这一点的情况下,本发明提供了一种集成电路金...
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一种化学机械研磨工艺建模的实验方法
本发明公开了一种化学机械研磨工艺建模的实验方法和测试方法,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。所述方法包括:金属沉积、CMP第1步、CMP第2步和CMP第3步。测试方法分为2大类,在金属沉积、CMP第1步和CMP第2...
阮文彪
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集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件
本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法,涉及半导体器件技术领域,能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响,该方法包括:在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽,所述冗余金属沟槽的深度小于...
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