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姜利军

作品数：3 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇硅薄膜
  • 3篇PECVD
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇应力
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇塑料封装
  • 1篇化学气相
  • 1篇集成电路
  • 1篇封装

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇姜利军
  • 2篇王旭洪
  • 2篇陈翔
  • 2篇赵润涛
  • 2篇徐立强
  • 1篇盛玫

传媒

  • 3篇功能材料与器...

年份

  • 3篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
等离子体增强化学气相低温沉积碳化硅薄膜及其性质研究被引量：3
1999年
用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法，以CH4和SiH4为反应气体，在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明，低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质影响较大．制得的薄膜均匀性良好，其化学组成Si／C在0．72-4．0之间，具有（5-9）×109dyn／cm2的压应力．红外光谱结果证明，随着薄膜化学成分的变化，薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比，制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性．
姜利军陈翔王旭洪徐立强
关键词：碳化硅PECVD塑料封装
交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究被引量：11
1999年
用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小，具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力，刻蚀速率较大。红外光谱表明，薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法，成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时，应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度，温度更高时，薄膜的完整性因氢溢出而破坏。
姜利军赵润涛陈翔王旭洪盛玫徐立强
关键词：氮化硅薄膜应力PECVD集成电路
正交实验方法研究PECVD碳化硅薄膜的防水汽扩散性质
1999年
利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。
姜利军陈翔王旭洪赵润涛盛玫徐立强
关键词：碳化硅薄膜PECVD电子器件
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