孙强
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：天津电源研究所更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 单结GaAs量子阱太阳能电池
- 介绍了采用金属有机化学气相沉积方法制备的单结GaAs量子阱太阳能电池。X射线双晶衍射表明电池中的材料缺陷较少,具有良好结晶质量与周期性。光谱响应实验表明量子阱结构的引入可以扩展吸收光谱。与无量子阱结构的电池相比,量子阱电...
- 娄朝刚向兵孙强张晓兵雷威
- 关键词：太阳电池金属有机化学气相沉积
- 文献传递
- 高压微型砷化镓太阳电池的研究被引量：4
- 2004年
- 介绍了高压微型砷化镓太阳电池的研究情况,研究了MOCVD砷化镓外延片的结构设计和制作,研究了高压微型砷化镓太阳电池串联结构设计和器件工艺的情况。研制的高压微型砷化镓太阳电池在1cm2面积内串联了118个电池单元,每个电池单元有效面积为500μm×400μm。在AMO光强下,开路电压大于80V,短路电流大于50μA。
- 王保民李昌进张建中陈文浚乔在祥孙强肖志斌
- 关键词：MOCVDMEMS外延片
- 活性与非活性 GaAs/Ge 太阳电池被引量：1
- 1997年
- 分析了活性和非活性ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池不同特性，活性电池形成的机理是由于Ｇａ的自扩散，在ｎ型Ｇｅ中形成了一个ｐ型层。阐述了非活性ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池的制备技术，包括采用较低的生长温度，较快的生长速率，适当晶向的单晶衬底及背面屏蔽等措施。采用光谱响应等方法判别ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池究竟是活性还是非活性电池。在国内首次成功地研制出ＡＭ０效率大于１５％的ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池。
- 杜福生孙强张晓东郭爱萍傅云龙
- 关键词：活性太阳电池
- 太阳电池用Bragg反射器的设计及研究被引量：2
- 2000年
- 为提高GaAs/Ge太阳电池对光的吸收 ,我们对Ge衬底Bragg反射器进行了研究。根据GaAs材料对太阳光谱的吸收特点 ,通过转移矩阵的方法 ,对中心波长为 85 0nm的AlxGa1-xAs系材料Bragg反射器进行了光反射的理论计算和设计。依据理论设计 ,利用低压金属有机化合物化学气相沉积 (LP MOCVD)技术在Ge衬底上外延生长中心波长为 85 0nm的Bragg结构 ,测得的反射谱与理论设计相吻合 ,X Ray双晶衍射测得的Bragg周期厚度为 1 1 0nm。制作出具有埋层Bragg结构的GaAs/Ge太阳电池。对整个电池吸收系数的测试结果表明具有埋层Bragg结构的太阳电池的吸收系数低于无Bragg结构的电池。AM 1 .5光谱下电池I V曲线测试结果为 :Voc=1 .0 33V ,Jsc=2 6 .0 4mA/cm2 ,FF =82 .5 2 % ,η =2 2 .2 % 。
- 乔在祥陈文浚孙强付云龙许军
- 关键词：太阳电池GAAS
