孙玲玲
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 分子动力学方法模拟压强对Bi4Ti3O12铁电相变行为的影响
- 2011年
- 在壳模型的基础上,通过分子动力学方法模拟了压强对Bi4Ti3O12(BIT)铁电相变行为的影响.为了提高模拟的准确性,在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势.计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化强度分别为39.4μC/cm2和0,与实验结果较好的吻合.然后模拟了压强对BIT相变行为的影响.模拟结果表明:BIT单晶在压强从-2 GPa到24 GPa范围内,经历了两次结构相变,分别发生在6 GPa和20 GPa处.这种对称性的改变类似于在环境压力条件下温度导致BIT单晶对称性的改变.因而模拟结果为研究压强引起BIT的相变行为提供了理论依据.
- 孙玲玲马颖周益春
- 关键词：分子动力学BI4TI3O12相变
- BTO，BIT铁电体的分子动力学模拟
- 铁电材料是一种十分重要的信息功能材料,在铁电随机存储等诸多领域具有广泛的应用前景。近年来,铁电钙钛矿结构材料在非挥发性铁电薄膜存储器,微电子机械系统以及可调微波器件等领域具有许多重要应用,引起了人们广泛的研究兴趣。本论文...
- 孙玲玲
- 关键词：分子动力学壳模型
- 文献传递
- BaTiO_3铁电体中辐射位移效应的分子动力学模拟被引量：1
- 2011年
- 运用基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO3铁电体中的辐射位移效应.采用O原子作为初级击出原子,模拟了当初级击出原子能量为1keV时体系内缺陷的产生和演化.模拟结果表明,当入射方向为[001]时,体系内产生的缺陷最多.在所有缺陷中,以O缺陷的含量为最高,达80%以上.同时,这些缺陷的产生并不显著改变体系的自发极化强度,对体系的极化翻转过程也基本没有影响.在外电场作用下,观察到了显著的缺陷迁移.
- 马颖孙玲玲周益春
- 关键词：分子动力学
