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季军

作品数:20 被引量:7H指数:2
供职机构:杭州远方仪器有限公司更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 5篇静电放电
  • 4篇电路
  • 4篇电源
  • 4篇开关
  • 4篇充电
  • 3篇电器
  • 3篇电阻阵列
  • 3篇振铃
  • 3篇智能化
  • 3篇智能化设计
  • 3篇试验波形
  • 3篇同步采集
  • 3篇屏蔽
  • 3篇去耦合
  • 3篇耦合电路
  • 3篇雷击
  • 3篇雷击浪涌
  • 3篇击穿电压
  • 3篇高压继电器
  • 3篇供电

机构

  • 18篇杭州远方仪器...
  • 2篇浙江工业大学

作者

  • 20篇季军
  • 18篇潘建根
  • 3篇胡月霞
  • 3篇杨培芳
  • 3篇黄英
  • 2篇庞标
  • 1篇王万良
  • 1篇郑益民

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电源技术应用

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种多功能耦合去耦合网络
本发明公开了一种多功能耦合去耦合网络,包括耦合电路和去耦合电路,耦合电路中设置有多路耦合高端线路以及耦合低端线路,每路耦合高端线路中串联设置一个包括多个不同阻值的可切换式限流电阻阵列以及一个包含多种类型耦合元件的可切换式...
季军凃辛雅黄英潘建根
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一种方波发生电路
本发明公开了一种方波发生电路,包括高压直流源、储能电路、半导体开关、充电电阻和用于加载受试设备的脉冲输出端,通过在脉冲输出端上并联充电电阻,合理选择充电电阻的阻值,可大幅缩短半导体开关结电容的充电时间,实现下降沿陡峭的方...
季军潘建根涂辛雅杨培芳
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一种雷击浪涌发生器
本实用新型公开了一种雷击浪涌发生器,包括控制单元、快速采样电路,浪涌脉冲形成单元,通过浪涌脉冲形成单元将产生的浪涌脉冲直接施加到或通过耦合/去耦网络耦合到受试设备试验端上,同时控制单元控制快速采样电路同步采集受试设备试验...
季军潘建根涂辛雅胡月霞
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一种方波发生电路
本发明公开了一种方波发生电路,包括高压直流源、储能电路、半导体开关、充电电阻和用于加载受试设备的脉冲输出端,通过在脉冲输出端上并联充电电阻,合理选择充电电阻的阻值,可大幅缩短半导体开关结电容的充电时间,实现下降沿陡峭的方...
季军潘建根涂辛雅杨培芳
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一种赫姆霍兹线圈系统
本实用新型公开了一种赫姆霍兹线圈系统,包括线圈旋转轴、试品升降轴和试品旋转轴,线圈旋转轴驱动赫姆霍兹线圈360°旋转,试品升降轴驱动受试品升降,试品旋转轴驱动受试品360°旋转。该系统仅利用一对赫姆霍兹线圈,即实现了受试...
庞标季军涂辛雅潘建根
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一种静电放电发生器
本发明公开了一种静电放电发生器,包括供电电源,高压模块,两个充电放电回路和一个高压继电器,两个充电放电回路分别连接在高压模块的正负输出端,高压继电器设置在两个充电放电回路的输出端与静电放电输出端之间。利用高压继电器与两个...
季军涂辛雅潘建根
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一种电压跌落发生器
本实用新型公开了一种电压跌落发生器,包括自动调压模块,瞬时采样模块,电子开关,滤波电路,中央处理单元,控制电路和按键显示模块。本实用新型通过内置的瞬时电流采样电路可直接测试被测负载的峰值冲击电流,并通过控制电路对电子开关...
季军潘建根
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一种多功能耦合去耦合网络
本实用新型公开了一种多功能耦合去耦合网络,包括耦合电路和去耦合电路,耦合电路中设置有多路耦合高端线路以及耦合低端线路,每路耦合高端线路中串联设置一个包括多个不同阻值的可切换式限流电阻阵列以及一个包含多种类型耦合元件的可切...
季军涂辛雅黄英潘建根
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一种浪涌发生器
本实用新型公开了一种无需放电电容的浪涌发生器,包括可调单极性高压直流源、单向放电开关和极性切换电路,采用单向放电开关控制可调单极性高压直流源的通断实现高压方波脉冲的输出。该浪涌发生器可输出幅值平坦的脉冲,且幅值大小和持续...
涂辛雅潘建根季军
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LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究被引量:2
2012年
为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据。通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性"收缩",光通量一定程度的衰减。但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压。
涂辛雅季军郑益民潘建根
关键词:静电放电发光二极管反向漏电流光通量
共2页<12>
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