安兵
- 作品数：62 被引量：268H指数：9
- 供职机构：华中科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- IC封装无芯基板的发展与制造研究被引量：8
- 2014年
- 手持电子产品的薄型化催生了IC封装无芯基板,它不仅比IC封装有芯基板更薄,而且电气性能更加优越。介绍了IC封装无芯基板的发展趋势和制造中面临的问题。IC封装无芯基板以半加成法制造,翘曲是目前制程中的首要问题。翘曲改善主要依靠改变绝缘层材料和积层结构,可用云纹干涉法进行量测,并以模拟为指导加快开发周期。
- 侯朝昭邵远城李茂源胡雅婷安兵张云
- 关键词：IC封装基板翘曲云纹干涉法
- SnAgCu凸点互连的电迁移被引量：12
- 2006年
- 研究了无铅Sn96Ag3.5Cu0.5凸点与镀Ni焊盘互连界面的电迁移现象.在180℃条件下,凸点及互连界面在电迁移过程中出现了金属间化合物沿电子流运动方向的迁移,其演化过程呈现出显著的极性效应:阴极互连界面发生了金属间化合物的熟化、剥落和迁移;阳极互连界面则出现了金属间化合物的大量聚集.金属间化合物的演化和迁移造成了阴极处的物质减少,从而诱发空洞的形成和聚集,导致互连面积减小,整体电阻增大,可靠性降低.
- 吴懿平张金松吴丰顺安兵
- 关键词：电迁移无铅焊料金属间化合物
- 倒装芯片组装中微米级互连焊点的界面金属间化合物生长及动力学被引量：3
- 2013年
- 利用焊点间距为100μm,高度约为45μm,成分为Sn-3.0Ag-0.5Cu(wt%)(SAC305)的倒装硅芯片与BT树脂基板组装互连,分别在150、125和100℃条件下时效至650 h。研究时效过程中界面主要金属间化合物的生长,结合经验功率定律及阿伦斯公式计算基板侧Cu焊盘界面IMC生长的动力学参数,对IMC的生长动力学探讨。结果表明,在互连回流后,双侧焊盘界面主要IMC为(Cu,Ni)6Sn5。在时效前100 h,(Cu,Ni)6Sn5生长速率较快;而在随后的时效过程中,随时效时间的增加生长速率逐渐降低。界面主要金属间化合物(Cu,Ni)6Sn5生长动力学研究结果可知:150、125以及100℃条件下时间参数分别为2.61、2.35和2.18,界面(Cu,Ni)6Sn5的生长激活能为67.89 kJ/mol。
- 田野吴懿平安兵龙旦风
- 关键词：金属间化合物生长动力学
- 对Ag/Cu薄膜退火应力的模拟被引量：3
- 2003年
- 采用基片曲率法测量并研究了Ag/Cu薄膜的应力与温度的关系。初始应力为-250MPa压应力,退火后为370 MPa拉应力。采用基于形变机制图的模型模拟了应力与温度关系的实验曲线,结果表明,温度和应力不同,在薄膜内起作用的主要形变机制也不同。可能的形变机制包括位错滑移、幂律蠕变以及扩散蠕变机制。薄膜比块体材料的应变速率低,在同样的应力下应变更加困难。在退火过程中,薄膜内先使应力松弛的是Ag,将Ag各蠕变机制中的激活能提高到块体材料的1.25～1.35倍,模拟曲线与实验曲线符合得很好。
- 安兵张同俊袁超崔昆
- 关键词：金属材料
- 细间距倒装芯片互连过程中焊点界面金属间化合物的形成与演化被引量：1
- 2013年
- 利用凸点间距为100μm,高度约为45μm,焊料成分为Sn-3.0Ag-0.5Cu(质量分数,%)(SAC305)的倒装芯片与树脂基板互连封装,研究芯片单侧凸点及芯片与BT基板焊点互连回流过程中界面金属间化合物(intermetalic compound,IMC)的形成和演化.结果表明,封装互连前,在芯片单侧镍焊盘界面上形成了长针状(Ni,Cu)3Sn4和薄层状Ni3P,由于反应过程中焊料基体中Cu原子的大量消耗,没有形成典型的(Cu,Ni)6Sn5.封装互连过程中,由于大量Cu原子从铜界面扩散到镍界面,促使镍焊盘界面(Ni,Cu)3Sn4逐渐转化成(Cu,Ni)6Sn5,形貌由针状转变成短棒状,反应后(Cu,Ni)6Sn5成为主要IMC层;在铜焊盘界面上,形成了一层短棒状的(Cu,Ni)6Sn5,由于从镍焊盘界面扩散过来的Ni原子对Cu3Sn生长的限制作用,反应后没有形成典型的Cu3Sn.
- 田野吴懿平安兵龙旦风
- 关键词：无铅焊料金属间化合物倒装芯片
- 电流耦合场下的倒装芯片凸点蠕变性能
- 以倒装芯片为对象，设计研发了高精度的微焊点蠕变实验装置。研究了电流耦合下的力-热场中无铅互连焊点的蠕变规律与组织结构的演变。研究表明在加入大电流，达到电迁移门槛值的条件下，电流会减缓倒装芯片凸点的蠕变过程，凸点断裂主要受...
- 安兵柴駪吴懿平
- 关键词：倒装芯片蠕变电迁移
- 基片弯曲法分析Ag/Fe多层膜退火过程中界面应力的变化被引量：3
- 2003年
- 有关薄膜应力的一般测量方法存在精度不高和不能实时测量的缺点。多层薄膜材料是在非平衡条件下制备的性能优异并包含高密度界面的新型亚稳定材料 ,由于其结构的差异 ,一般测量薄膜应力的方法如X射线衍射法、拉曼光谱法等失去作用。阐述了基片弯曲法测量薄膜应力的原理 ,设计了用光杠杆法测量试样曲率的装置 ,并实时测量了Si基Ag/Fe多层膜在退火过程中表面弯曲曲率的变化。同时开发了软件处理系统 ,并计算和分析了Ag/Fe多层膜退火过程中膜 基界面的应力变化。研究表明 ,经过退火处理的薄膜应力有极大的增加 ,其中升温过程发生了再结晶 ,使薄膜应力降低 。
- 袁超安兵张同俊
- 关键词：X射线衍射拉曼光谱界面应力
- 大电流密度下倒装芯片凸点的剪切蠕变性能被引量：1
- 2013年
- 以倒装芯片为对象,通过自行设计研发的试验装置,研究电-热-应力耦合场中无铅互连焊点的蠕变规律与组织结构演变。研究表明,在加入大电流,达到电迁移门槛值的条件下,电流会减缓倒装芯片凸点的蠕变过程,凸点断裂主要是受到金属间化合物界面形态控制,反映了与绝热蠕变样品的巨大差异。
- 柴駪安兵
- 关键词：倒装芯片电流密度蠕变电迁移界面化学
- 荧光层形状对大功率白光LED光学性能的影响被引量：9
- 2010年
- 为确定荧光层形状对大功率白光LED光学性能的影响,对蓝光LED发光晶片激发黄色荧光粉产生白光的荧光涂布工艺进行了研究。分别通过大面积点胶、晶片表面点胶和保形荧光胶涂布工艺制得白光LED样品,利用积分球和角度测试机对白光LED的光学性能进行测试,结果表明,保形荧光层白光LED的色温、光强分布和发光角度等光学性能优于大面积点胶和晶片表面点胶白光LED的光学性能。
- 周龙早刘辉安兵吴丰顺吴懿平
- 关键词：大功率LED荧光粉光学性能
- 采用硫酸作为稳定剂制备微米级球形银粉被引量：3
- 2009年
- 采用抗坏血酸作为还原剂，硫酸作为稳定剂，在高速搅拌、室温的条件下还原硝酸银溶液制备微米级球形银粉。考查了硫酸用量、反应温度和添加高分子保护剂对银粉的微观形貌的影响。通过SEM、EDX和XRD对制备的银粉进行了表征分析，结果表明：制备的超细银粉为类球形，粒径较为均一，粒径范围为1～2.0μm可调；减小或增大硫酸用量都将导致银粉粒径变小；升高温度或者添加适量的N-甲基毗咯烷酮也可减小粒子粒径。
- 蔡雄辉吴懿平安兵吴丰顺
- 关键词：银粉湿化学硫酸抗坏血酸微米
