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宋波

作品数:51 被引量:11H指数:2
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程石油与天然气工程理学更多>>

文献类型

  • 46篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇理学

主题

  • 28篇触发
  • 21篇可控硅
  • 18篇电源
  • 18篇电源线
  • 16篇互补型
  • 14篇双极型
  • 12篇微米工艺
  • 10篇晶体管
  • 10篇可控硅器件
  • 10篇硅器件
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 9篇多晶硅栅
  • 9篇鲁棒
  • 9篇硅栅
  • 8篇电路
  • 8篇静电放电
  • 6篇集成电路
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管

机构

  • 51篇浙江大学

作者

  • 51篇宋波
  • 46篇韩雁
  • 44篇董树荣
  • 44篇李明亮
  • 39篇苗萌
  • 39篇马飞
  • 15篇黄大海
  • 11篇吴健
  • 11篇郑剑锋
  • 6篇霍明旭
  • 5篇杜晓阳
  • 2篇刘晓东
  • 2篇雷鸣
  • 2篇李永舫
  • 1篇郭清
  • 1篇陈勇
  • 1篇刘雪松
  • 1篇李页瑞
  • 1篇胡佳贤
  • 1篇张世峰

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2012
  • 20篇2011
  • 17篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 1篇2000
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅,用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护;由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅,用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ES...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
二极管串辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种二极管串辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅,用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护;由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅,用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
文献传递
集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路,它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接,VirtualVDD...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
文献传递
一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅,包括P型衬底,P型衬底上设有深N阱,深N阱内设有N阱以及位于N阱两侧的第一P阱和第二P阱;第一P阱上设有通过第一浅壕沟隔离的第一N+注入区和第一P+注入区,第一P...
马飞韩雁董树荣宋波苗萌李明亮吴健郑剑锋
文献传递
一种内嵌PMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件,包括P型衬底及其上方的置P阱和N阱,P阱和N阱交界处上方横跨有PMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅,N阱上依次设有第一浅壕沟隔离,第一N+注入区、第二浅壕沟隔离和第一P...
马飞韩雁董树荣黄大海宋波李明亮苗萌
文献传递
一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件,包括P型衬底,在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱,在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区,实现了触发电压值降低...
苗萌董树荣李明亮吴健韩雁马飞宋波郑剑锋
文献传递
一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管,用于核心电路的ESD防护,由漏极连接核心电路的输入出端,源极和衬底直接接地,栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联,漏极连接GCNMOS管的栅极,源极和衬底...
宋波韩雁董树荣马飞黄大海李明亮苗萌
一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件,包括P型衬底,在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱,在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区,实现了触发电压值降低...
苗萌董树荣李明亮吴健韩雁马飞宋波郑剑锋
集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路,它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接,VirtualVDD...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
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一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管,用于核心电路的ESD防护,由漏极连接核心电路的输入出端,源极和衬底直接接地,栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联,漏极连接GCNMOS管的栅极,源极和衬底...
宋波韩雁董树荣马飞黄大海李明亮苗萌
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共6页<123456>
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