宋琦
- 作品数：29 被引量：69H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目辽宁省科技厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- 用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究被引量：3
- 2007年
- 用低压反应离子镀（RLVIP）的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0．05-0．4nm／s之间的变化，其折射率在2．31～3．42之间可变。实验结果表明，镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构，并实现了从2000-8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0．1nm／s时，单面平均透过率从68．6％提高到了80．9％，比单面未镀膜时提高了17．9％。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明，制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦陈红郑宣明申振峰单兆会
- 关键词：增透膜
- 一种掺铒/铒、镱共掺氧化铝光波导放大器的制备方法
- 本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域，具体涉及到一种掺铒/铒、镱共掺氧化铝光波导放大器的制备方法。其特征是利用中频等离子体磁控溅射方法制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜，对制备的薄膜进行退火处理、并利用掩膜刻蚀经过，1)...
- 李成仁宋琦宋昌烈李建勇李淑凤
- 文献传递
- 时域有限差分法在一维光子晶体数值模拟方面的研究被引量：1
- 2006年
- 介绍了时域有限差分法的基本原理,并对一维光子晶体薄膜中传播的电磁场作了模拟和分析。通过对光子晶体透射谱的研究,讨论了不同周期数和不同介电常数比对光子晶体带隙的影响,最后通过在周期介质层状结构中引入缺陷层构造了光子缺陷态。
- 宋琦高劲松王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣申振峰凌伟
- 关键词：时域有限差分法光子晶体缺陷态
- 离子辅助制备碳化硅改性薄膜被引量：21
- 2008年
- 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。
- 陈红高劲松宋琦王彤彤申振峰王笑夷郑宣鸣范镝
- 关键词：反应烧结碳化硅表面改性离子辅助沉积
- 掺铒、镱铒共掺杂硅酸盐玻璃光致发光强度随泵浦波长的变化被引量：1
- 2004年
- 利用半导体激光器的红移特性,测量了掺饵、镱铒共掺杂硅酸盐玻璃样品的光致发光强度随泵浦波长的变化。实验结果表明,掺铒硅酸盐玻璃样品的最佳泵浦波长为981.6nm,镱铒共掺杂硅酸盐玻璃样品的最佳泵浦波长为972.1nm;两种样品的-3dB带宽分别为3 6nm和7.4nm。
- 李成仁宋昌烈李淑凤高景生宋琦
- 关键词：掺铒泵浦波长
- RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量：3
- 2008年
- 应用低压反应离子镀（RLVIP）技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中，低压等离子源作为辅助等离子源，Ge作为蒸发材料，CH4作为反应气体，在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量（x）从0．23到0．78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明：当x〉0．78时，成键为c-H键；当x为0．53～0．62时，成键为c-c键；当x〈0．47时，成键为Ge-C键。
- 王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
- 关键词：X射线光电子能谱离子辅助沉积
- Yb：Er共掺Al/_2O/_3光波导放大器制备工艺及非均匀掺铒光波导理论设计
- 分别利用中频磁控溅射/(MFS/)方法和微波电子回旋共振/(ECR-MW/)等离子体方法制备了Yb:Er共掺Al/_2O/_3薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光谱强度、最佳Yb:Er比例、最佳退火温度、样品表面形貌等性...
- 宋琦
- 关键词：中频磁控溅射
- 文献传递
- 掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量：2
- 2004年
- 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。
- 黄开玉李国卿柳翠高景生宋琦王丽阁
- 关键词：掺铒AL2O3薄膜光致发光磁控溅射
- 一种电主动调制的近红外薄膜型滤波器件
- 一种电主动调制的近红外薄膜型滤波器件，属于薄膜沉积技术领域，为了实现使用电主动调制的可以在近红外波段改变滤波器件透过率或反射率的薄膜型滤波器件，本发明包括基底，在基底上面的光学透过区交替沉积多层Si材料层和SiO<Sub...
- 王彤彤宋琦高劲松
- 文献传递
- 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_(1-x)C_x薄膜被引量：4
- 2007年
- 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦郑宣明徐颖陈红申振峰
