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常鹏: 作品数：10 被引量：6H指数：1; 供职机构：暨南大学更多>>; 发文基金：广州市科技计划项目广东省教育部产学研结合项目广东省自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程更多>>

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一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3</Sub...; 刘彭义常鹏祝兰陈伟业

SiO_2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能被引量：1: 2010年; 采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。; 常鹏刘彭义祝兰; 关键词：压电陶瓷机电性能

SiO_2对低温烧结压电陶瓷PMNNS的性能影响被引量：3: 2012年; 在烧结温度为1020℃下,采用固相二步合成法制备了Pb(Ni1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响。结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度;而且当SiO2的掺杂量为0.1%时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33=331 pC/N,tanδ=0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr=917。; 陈伟业刘彭义林彩平常鹏; 关键词：压电陶瓷 SIO2

不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响被引量：1: 2009年; 采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453．; 祝兰陈亚君常鹏; 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能

Rubrene/C60结有机太阳能电池的阳极改性及偏压处理研究: 了结构为ITO/Rubrene(x nm)/C60(45nm)/Alq3(6nm)/Al(150nm)的有机太阳能电池,并研究了阳极修饰层(VOx和MoOx)及加3V偏压对器件性能的影响.实验结果显示,在无阳极修饰层的器...; 吴冰刘彭义李艳武常鹏; 关键词：太阳能电池化学改性

Rubrene/C60结有机太阳能电池的阳极改性及偏压处理研究: 制备了结构为ITO/Rubrene(x nm)/C(45 nm)/Alq(6 nm)/Al(150 nm)的有机太阳能电池,并研究了阳极修饰层(VO和MoO)及加3 V偏压对器件性能的影响。实验结果显示,在无阳极修饰层的...; 吴冰刘彭义李艳武常鹏; 关键词：有机太阳能电池; 文献传递

一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3</Sub...; 刘彭义常鹏祝兰陈伟业; 文献传递

低温烧结铌镁锑锰锆钛酸铅（PMMNS）压电陶瓷及性能研究: 近年来,随着电子器件的集成化、微型化,传统的电磁式变压器由于易受电磁干扰、笨重、体积大等缺点,已逐渐不适应电子器件的发展,新型变压器的研制成为当前国际上的一个研究热点。压电变压器由于自身良好的品质,解决了电磁变压器面临的...; 常鹏; 关键词：介电损耗机械品质因数; 文献传递

Sb_2O_3掺杂Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.20)(Zr_(0.50)Ti_(0.50))_(0.80)O_3-0.5%MnO_2压电陶瓷性能被引量：1: 2010年; 采用二步合成法制备了掺杂z%Sb2O3的Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.50Ti0.50)0.80O3-0.5%MnO2(PZNTM)压电陶瓷(Sb2O3的质量分数为z=0、0.1、0.3、0.5、0.7、0.9)。探讨了不同剂量Sb2O3掺杂对陶瓷试样的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 150℃下烧结3 h,得到处在准同型相界附近的纯钙钛矿结构的陶瓷;随着Sb2O3掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,而介电损耗tanδ持续上升,机械品质因数Qm则持续下降。当z=0.3时,压电陶瓷的性能得到优化,d33和kp均达到最大值,分别为302 pC/N和0.60,而tanδ较小、Qm较大,分别为0.006和880。; 陈亚君刘彭义祝兰常鹏; 关键词：准同型相界相结构机电性能

烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响: 2009年; 采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0; 祝兰刘彭义陈亚君常鹏; 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能