庄大明
- 作品数：207 被引量：754H指数：16
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 固体润滑涂层减少摩擦副磨擦磨损的潜力有多大
- 机械设备中的摩擦副，如轴承、齿轮、凸轮挺杆、缸套活塞环、油泵、滑动密封等等经常由于滑动磨擦而失效。特别是随着科学技术的进步。设备的工作条件越来越荷刻，该问题也就日益显得突出。滑动磨损机制在磨擦学与材料科学中都是一个十分复...
- 刘家浚庄大明周仲荣朱宝亮
- 关键词：边界润滑固体润滑涂层磨损
- 二氧化钛光催化空气净化薄膜及其制备方法
- 一种二氧化钛光催化空气净化薄膜及其制备方法,其特征是利用磁控溅射在玻璃、金属、陶瓷等载体上形成二氧化钛光催化空气净化薄膜,使用纯金属钛靶材和氧气的直接合成,并利用弧抑制电源防止纯金属钛靶材的中毒。其中二氧化钛薄膜形成的晶...
- 庄大明方晓东张弓窦伟侯亚奇肖昱赵明
- 干摩擦条件下金刚石复合膜摩擦学性能被引量：2
- 2002年
- 在干摩擦条件下利用 SRV磨损试验机比较了在硬质合金基体上金刚石薄膜、石墨 /金刚石复合膜以及硬质合金 3种试样的摩擦学性能。利用扫描电子显微镜观察了试样和磨痕的表面形貌。利用表面形貌仪测试了磨损体积。研究了振动频率对试样的摩擦学性能影响。结果表明 ,在干摩擦条件下 ,金刚石薄膜与石墨 /金刚石复合膜的摩擦学性能差别不大 ,二者的磨损机理均为微断裂磨损。在干摩擦条件下 ,高频时金刚石薄膜的耐磨性是硬质合金耐磨性的 8～ 10倍 。
- 侯亚奇庄大明张弓刘家浚吴敏生
- 关键词：金刚石薄膜摩擦学性能磨损
- SiC膜对ZGO膜耐腐蚀性能的研究被引量：1
- 2006年
- 利用中频磁控溅射方法,采用氧化锌镓ZGO(97.5%ZnO+2.5%Ga2O3)陶瓷靶材和SiC陶瓷靶材,制备了ZGO和SiC/ZGO复合薄膜。考察了制备SiC膜时的沉积时间、氩气压强、基底温度对其耐腐蚀保护性能的影响,同时考察了SiC薄膜对ZGO薄膜功能特性的影响。试验结果表明,提高溅射气体的压力可以增强SiC膜对ZGO薄膜的耐腐蚀保护作用,提高基底温度对提高SiC/ZGO的耐腐蚀性能的效果显著,SiC薄膜的存在对ZGO的红外反射性能有增强作用。基底温度260℃,沉积SiC膜160s能对ZGO膜起到防腐保护作用。
- 姬杨玲庄大明张弓
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射耐腐蚀性
- 离子束增强沉积陶瓷涂层和固体润滑膜的摩擦学设计与原理
- 作者在GCr15钢基体上用多种方法沉积了Si<,3>N<,4>、TiN硬质陶瓷薄膜和MoS<,2>、Ag固体润滑膜,系统地研究了沉积工艺、化学成分、组织结构、元素化学价态、应力分布、力学性能和摩擦磨损性能之间的内在联系;...
- 庄大明
- 关键词：离子束陶瓷薄膜固体润滑
- 几种钢表面离子渗硫层在油润滑条件下的摩擦磨损性能研究被引量：12
- 2002年
- 采用低温离子渗硫技术处理高速钢、模具钢和45#钢3种材料,使其表面形成以FeS为主、厚约10μm、由纳米级球状颗粒组成的固体润滑渗硫层,并采用QP-100型摩擦磨损试验机考察了这3种钢表面渗硫层在油润滑条件下的摩擦学性能,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察分析了渗硫层截面、磨损表面形貌及相结构,利用X射线光电子能谱仪分析了磨痕表面边界润滑膜的化学状态.结果表明,3种钢渗硫后的摩擦学性能均明显改善,不同种类的钢表面渗硫层的摩擦学性能差异主要取决于基体硬度、组织结构及耐蚀性.
- 王海斗庄大明王昆林刘家浚
- 关键词：油润滑离子渗硫硫化亚铁固体润滑剂
- Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS_2薄膜性能影响被引量：5
- 2009年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。通过XRD及Raman光谱分析了薄膜结构,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明,随着预制膜中Cu与In原子比(Cu/In)及硫化温度不断升高,薄膜CuAu(CA)相含量逐渐降低,黄铜矿(CH)相逐渐升高,薄膜结晶性逐渐改善。600℃以上硫化时薄膜中主要存在CH相CuInS2。薄膜禁带宽度随着预制膜中Cu/In原子比及硫化温度不断升高而升高,Cu/In原子比为1.05,硫化温度为500℃时薄膜禁带宽度可达1.40eV。
- 杨宇张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池CIS薄膜硫化温度
- 氧化物半导体膜及其制备方法
- 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为10<Sup>12</Sup>c...
- 庄大明赵明曹明杰郭力高泽栋魏要伟
- 离子束增强沉积和磁控溅射硫化钼薄膜的摩擦磨损性能研究被引量：4
- 1995年
- 在离子束增强沉积的Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的表面，分别利用离子束增强沉积法和磁控溅射法制取了ＭｏＳｘ薄膜．在ＳＲＶ摩擦磨损试验机上，对几种薄膜试样与５２１００钢试样作了对比试验研究，结果表明，两种ＭｏＳｘ薄膜都具有良好的摩擦磨损性能．其中，磁控溅射ＭｏＳｘ膜的减摩性能更好，而减摩持久性则是以离子束增强沉积ＭｏＳｘ膜的更好；两种ＭｏＳｘ膜的耐磨性比Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的高３－４倍，比５２１００钢的高８－２０倍．两种ＭｏＳｘ薄膜显示出不同的减摩性能和耐磨寿命，主要原因在于ＭｏＳｘ溅射膜中的ｘ值（ｘ＜２）不同，以及膜的微观结构和界面成分的混合状态不同．
- 庄大明刘家浚朱宝亮李文治张绪寿杨生荣
- 关键词：离子束增强沉积磁控溅射磨损
- 硫化时间对于固态硫化CuInS_2薄膜性能影响被引量：4
- 2010年
- 采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜，采用固态硫化法制备获得了CuInS2（OS）吸收层薄膜。考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响。通过XRD分析了薄膜结构，通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分，通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明，在400℃硫化10，15，20，25，30min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜，并且具有（112）面择优取向。以上各硫化时间下，均能形成均匀且晶粒大小为1μm的CIS薄膜，薄膜禁带宽度约为1．10～1．22eV之间。
- 杨宇张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池CIS磁控溅射硫化时间
