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张远祥

作品数：4 被引量：10H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇衬底
  • 1篇平板显示
  • 1篇平板显示技术
  • 1篇清洗技术
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子工艺
  • 1篇显示技术
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇活性剂
  • 1篇机械抛光
  • 1篇技术及发展
  • 1篇硅衬底
  • 1篇硅片
  • 1篇发光
  • 1篇发光原理
  • 1篇OLED技术
  • 1篇CMP

机构

  • 4篇河北工业大学

作者

  • 4篇刘玉岭
  • 4篇张远祥
  • 2篇袁育杰
  • 1篇于桂兰
  • 1篇张志花
  • 1篇李薇薇
  • 1篇程东升
  • 1篇檀柏梅
  • 1篇赵之雯
  • 1篇刘钠

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇清洗世界
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
微电子工艺中硅衬底的清洗技术被引量：7
2006年
通过研究硅片表面颗粒的吸附原理,提出了优先吸附模型,并提出改进SC-1的配方,不仅能去除颗粒,而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更加环保的清洗新技术。通过分析微电子技术的发展要求,指出今后硅片清洗工艺的发展趋势。
张远祥刘玉岭袁育杰
关键词：硅片表面活性剂臭氧
铝薄膜CMP影响因素分析被引量：3
2006年
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。
袁育杰刘玉岭张远祥程东升
关键词：化学机械抛光
OLED平板显示技术及发展前景
本文介绍了一种新型的平板显示技术OLED的发光原理及结构特点,并把OLED技术特点与传统的CRT和LCD等显示技术进行了比较.同时对OLED的市场前景进行了描述.
刘玉岭张远祥
关键词：显示技术平板显示技术发光原理OLED技术
文献传递
蓝宝石衬底纳米磨料CMP技术的研究
刘玉岭檀柏梅赵之雯张远祥刘钠于桂兰李薇薇张志花
通过对抛光机理的深入研究，实现了抛光无划伤的效果，与国外同类技术比较，这种抛光液及技术可远超过其1μm/h的速率，且产生划伤少，表面粗糙度低，并可有效避免金属离子的沾污。此成果完成后，适用于氮化镓基衬底材料蓝宝石晶体的全...
关键词：
关键词：CMP技术
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