张金香
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：吉林大学更多>>
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- 相关领域：理学文化科学电子电信医药卫生更多>>
- 光辅助对MOCVD法生长ZnO∶Ga薄膜的n型掺杂影响
- 作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO是继GaN之后在光电研究领域的又一热门研究课题。ZnO除了在短波光电器件上具有巨大的应用前景外,因其具有较高的热、化学稳定性,良好的导电性能以及较高的光透性,在显示器、太阳能电池以...
- 张金香杜国同殷伟史志锋张仕凯王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林
- MOCVD法生长Ga掺杂n型ZnO的特性研究
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了不同Ga掺杂浓度的n型ZnO薄膜,本实验分别以二乙基锌(DEZn)、高纯O_2作为反应源,三甲基镓(TMGa)作为掺杂源,高纯Ar作为载气。通过改变Ga源的掺...
- 殷伟张金香赵龙王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量：2
- 2012年
- 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
- 史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- 关键词：电致发光
- P-NIO/N-GAN发光二极管光电特性的研究
- 本文采用磁控溅射法在N-GAN衬底上成功制备了NIO薄膜，从而制备了P-NIO/N-GAN异质结发光二极管.测试并分析了NIO薄膜材料的结构、光学、电学特性.研究结果显示了NIO材料具有良好的结晶质量并呈现P型导电特性....
- 王辉武超张金香史志锋张宝林马艳董鑫杜国同
- 关键词：GANNIO磁控溅射
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- 温度对MOGVD制备ZnO薄膜中缺陷的影响
- 本实验采用LP-MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜,考察了外延生长温度对ZnO薄膜光学质量的影响,着重研究了ZnO薄膜中缺陷的形成机制.三个样品都表现出主宰的紫外光发射,长波方向的深能级发光变化很不明显.考虑到不...
- 崔夕军庄仕伟张金香伍斌史志锋张源涛张宝林杜国同
- 温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响被引量：3
- 2015年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。
- 崔夕军庄仕伟张金香史志锋伍斌董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：ZNOMOCVD成核
- MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜被引量：1
- 2013年
- 采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。
- 殷伟张金香崔夕军赵旺王辉史志峰董鑫张宝林杜国同
- 关键词：MOCVDZNO薄膜
- 光辅助MOCVD法制备高质量ZNO薄膜
- 采用光辅助金属有机化合物气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上制备ZNO薄膜.实验结果表明光辅助的引入对ZNO薄膜的特性具有很大的影响.SEM 测试结果表明,光辅助的引入使得ZNO从三维的纳米柱形式转变成二维的致密薄膜形式.同时...
- 史志锋伍斌张金香蔡旭浦王辉董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：ZNO光辐照
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- MOCVD生长中引入光辐照对ZNO纳米柱尺寸的影响
- 采用原位光辐照的MOCVD方法在C面蓝宝石衬底上制备ZNO薄膜.SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZNO纳米柱的横向尺寸变大.从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光的辐照引入的热效应使衬底进一步升温,缓解晶...
- 伍斌史志锋蔡旭浦张金香王辉董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：MOCVD光辐照晶格失配
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- MOCVD法制备ZnO的成核与生长研究
- 氧化锌（ZnO）是一种直接帶隙宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在短波长光电子器件和光探测器等领域有着极为广泛的应用前景。为了实现ZnO器件与Si芯片工艺的集成，人们广泛关注于S...
- 张金香
- 关键词：MOCVDZNOSI衬底成核
- 文献传递
