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徐斌

作品数:6 被引量:45H指数:4
供职机构:长春光学精密机械学院更多>>
发文基金:吉林省科技厅应用基础研究项目更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇晶体
  • 3篇晶体生长
  • 3篇WO
  • 2篇电性能
  • 2篇压电
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 1篇导体
  • 1篇电晶体
  • 1篇压电晶体
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇引上法
  • 1篇引上法晶体生...
  • 1篇振荡器
  • 1篇制备及性能
  • 1篇闪烁晶体
  • 1篇声表面波
  • 1篇四硼酸锂
  • 1篇提拉法

机构

  • 6篇长春光学精密...
  • 1篇昆明物理研究...

作者

  • 6篇徐斌
  • 6篇刘景和
  • 5篇张亮
  • 4篇李建利
  • 4篇李艳红
  • 2篇李建立
  • 2篇邢洪岩
  • 1篇李国桢
  • 1篇邢宏岩
  • 1篇洪元佳
  • 1篇孙强
  • 1篇李林
  • 1篇刘祥
  • 1篇赵莹
  • 1篇黄江平
  • 1篇邢宏言
  • 1篇黄宗坦
  • 1篇李红艳
  • 1篇李丹
  • 1篇刘玲

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇兵工学报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 5篇2001
  • 1篇2000
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Nd∶KGd(WO_4)_2激光晶体生长被引量:15
2001年
以K2 W2 O7为助熔剂 ,采用熔盐顶部籽晶 (TSSG)法生长出尺寸为 2 3mm× 2 0mm× 19mm的Nd∶KGd(WO4) 2 激光晶体 .比较了K2 WO4和K2 W2 O7两种助熔剂的性能及对晶体生长的影响 ,认为K2 W2 O7熔点较低可以有效地降低晶体生长温度 ,有利于控制晶体生长和生长环境 .进行了KGd(WO4) 2 -KNd(WO4) 2 系统二元相图的研究 ,认为两者互溶性好 ,有利于晶体生长 ,并且Nd3+ 易于以化学剂量比取代Gd3+ .采用XRD、偏光显微镜及TG -DTA对晶体性能进行了研究 ,实验表明所生长的晶体为高温相的 β -Nd∶KGW .用光学显微镜对晶体表面裂纹、生长条纹、生长丘、生长台阶和包裹物等缺陷进行了观察 ,认为它们形成的原因是由于晶体生长工艺不稳定 ,温度梯度过大 。
刘景和李建利洪元佳李艳红徐斌张亮刘祥
关键词:助熔剂晶体生长
NaBi(WO_4)_2晶体生长与开裂研究被引量:22
2001年
钨酸铋钠 [分子式 :NaBi(WO4) 2 简称NBW ]是一种性能优良的闪烁晶体 .本工作采用提拉法生长出直径为 45mm ,高为 3 5mm的大尺寸NBW晶体 ,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系 .实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关 .
刘景和李建利徐斌李艳红张亮邢宏言
关键词:引上法晶体生长闪烁晶体
Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)半导体薄膜的研究
2000年
对于以Si为衬底的Y1Ba2 Cu3O7-x薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜的导电性由超导态转向半导体态。我们采用了直流溅射法在Si,SiO2 /Si和 /SiO2 /Si三种基片做衬底制备了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体薄膜。进行了温度电阻系数(TCR)测试、X射线衍射分析物相的测定、开展了霍尔系数和拉曼衍射 (Ramanshift)的微观分析实验 ,并进行了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多晶薄膜在室温下的黑体辐射的响应实验。通过我们的实验验证了这种薄膜的氧含量 ,与国外文献资料报道的实验结果相符合。发现了有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x;半导体多晶薄膜优于没有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多薄膜 ,并且适用于制造室温下工作的红外探测器的敏感元。
孙强刘景和李建立邢宏岩刘玲徐斌李国桢黄江平李丹黄宗坦
关键词:半导体薄膜
NaBi(WO_4)_2晶体生长工艺研究被引量:6
2001年
采用提拉法 (Cz法 )生长了4 5× 4 0mm大尺寸钨酸铋钠 (NaBi(WO4 ) 2 ,简称NBW )晶体 ,探讨了工艺参数和晶体开裂间的关系 ,并根据Brice模型 ,讨论了晶体中的热应力、热应变和晶体尺寸、温度梯度、提拉速度、晶体转速之间的关系 ,设计了生长NBW的最佳工艺条件 :液面上下 10mm内温差为 0 .8℃ /mm ,拉速 2~ 4mm/h ,转速 12~ 18r/min ,冷却速率 2 5℃ /h。
李建利徐斌刘景和李艳红李林张亮赵莹
关键词:钨酸铋钠晶体提拉法生长
Li_2B_4O_7晶体生长与声表面波中应用被引量:2
2001年
采用Cz法生长出Φ30mm× 30mm的单晶体 ,对其原料配置、晶体生长工艺 ,压电性能及应用进行了研究 ,从压电性能 ,晶体谐振器和压控振荡器的性能测试结果表明 :该晶体是一种具有很大应用潜力的新型压电晶体材料。
李建利刘景和李艳红张亮邢洪岩徐斌
关键词:压电性能晶体谐振器压控振荡器四硼酸锂声表面波
Li_2B_4O_7材料制备及性能的研究被引量:6
2001年
采用Cz法生长出优质的Li2 B4O7(LBO)单晶 ,开展了压电性能及应用的研究 ,同时用Maker条纹测量了晶体的二次谐波系数d31和d33。用温梯法制备了LBO微晶玻璃 ,开展了热激发电子发射 (TSEE)性能的研究。
李红艳刘景和李建立邢洪岩张亮徐斌
关键词:压电性能微晶玻璃压电晶体
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