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戴敏

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇退火
  • 1篇纳米硅
  • 1篇A-SI
  • 1篇N
  • 1篇X

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇戴敏
  • 1篇鲍云
  • 1篇黄信凡
  • 1篇石建军
  • 1篇陈坤基
  • 1篇陈铠
  • 1篇李伟
  • 1篇张林
  • 1篇王立

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应
2002年
采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特性 ;采用 C-V测量方法 ,通过对退火和未退火样品的对比分析 ,对该三明治样品的电学性质进行了研究 ,观察到 nc-Si薄膜的电荷存储现象 ,并且该现象与 nc-Si层的厚度有着明显的关系。
戴敏鲍云石建军张林李伟陈铠王立黄信凡陈坤基
关键词：纳米硅退火电容-电压特性
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