曹世成
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学航天学院复合材料与结构研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：...
- 朱嘉琦祝元坤曹世成
- 文献传递
- 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法
- 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法，它涉及一种氮化钽扩散阻挡层的制备方法。本发明解决现有氮化钽沉积技术制备得到的氮化钽阻挡层厚度大、致密性差，导致氮化钽阻挡层的阻挡效果差的问题。制备方法：将衬底清洗后置于过滤阴极电弧...
- 朱嘉琦王建东张建隆张雯婷曹世成
- 铜互联工艺的氮化钽扩散阻挡层研究
- 随着集成电路工艺的发展，铜替代铝成为新一代的互连材料。为了防止铜扩散进硅器件中引起器件性能受损以及提高铜与硅、二氧化硅的粘附性，必须在铜互连线外包裹一层扩散阻挡层。
氮化钽具有电阻率低、熔点高、晶格和晶界扩散...
- 曹世成
- 关键词：反应磁控溅射扩散阻挡层微结构电学性能
- 文献传递
- 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法
- 一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法，它涉及一种氮化钽扩散阻挡层的制备方法。本发明解决现有氮化钽沉积技术制备得到的氮化钽阻挡层厚度大、致密性差，导致氮化钽阻挡层的阻挡效果差的问题。制备方法：将衬底清洗后置于过滤阴极电弧...
- 朱嘉琦王建东张建隆张雯婷曹世成
- 文献传递
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：...
- 朱嘉琦祝元坤曹世成
- 文献传递
- 反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究被引量：5
- 2012年
- 采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜,研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,晶体结构随工艺参数的改变发生变化,GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强,氮气分压的增加使择优取向向(111)晶面偏移;TaN薄膜的表面形貌与溅射功率和氮气分压密切相关,与衬底温度的关系不大,其粗糙度随溅射功率的增加而增大,随氮气分压的增加而减小;TaN薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小,随氮气分压的增加逐渐增大,温度对方块电阻的影响不大;对Cu/TaN/Si互联体系热处理后发现TaN薄膜具有优异的阻挡性能,在600℃时依然可有效阻止Cu向Si的扩散。
- 贾振宇朱嘉琦曹世成
- 关键词：反应磁控溅射扩散阻挡层
- 反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究
- 采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜，研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明，晶体结构随工艺参数的改变发生变化，GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强，...
- 贾振宇朱嘉琦曹世成
- 关键词：集成电路反应磁控溅射扩散阻挡层工艺参数表面形貌
- 文献传递
