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文献类型

  • 2篇学位论文
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  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇导体
  • 4篇铁磁
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  • 2篇磁化强度
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性半导体
  • 1篇导带
  • 1篇氧分子
  • 1篇原子磁矩
  • 1篇配位

机构

  • 6篇山东大学

作者

  • 6篇曹强
  • 4篇颜世申
  • 4篇刘国磊
  • 4篇梅良模
  • 4篇陈延学
  • 1篇白洪亮
  • 1篇邢鹏飞
  • 1篇田玉峰
  • 1篇邓江峡
  • 1篇康仕寿
  • 1篇贺树敏

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2004
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
环境权理论研究
产业革命以来,环境问题日益恶化,人类的生存环境遭到了前所未有的严重破坏.人类能不能继续生存与发展下去,关键在于人类能不能善待自然,与自然和谐发展.为了解决环境问题,保护环境就成了世界各国的一项重要任务.在环境保护的过程中...
曹强
关键词:环境问题环境权法律关系具体化
文献传递
ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究
目前作为现代信息技术基石的半导体微电子技术主要利用电子的电荷自由度去存储和处理信息,随着集成化程度的提高和器件尺寸的减小目前的电子产业会由于进入原子尺度而到达它发展的极限。因此现在希望通过利用电子的另一个内禀属性--自旋...
曹强
关键词:稀磁半导体单晶薄膜分子束半导体材料
外延ZnMnO薄膜中Mn2+/3+d-d激发态的光致发光谱研究
研究了一系列高质量ZnMnO外延薄膜的磁性以及对应的Mn2+/3+的激发态的PL谱.如图1(b)所示,在温度为5K的时候,在非铁磁性的ZnMnO样品观察到位于3.323eV的发光峰I1,而在铁磁性的ZnMnO样品中观测到...
白洪亮贺树敏刘国磊曹强陈延学康仕寿颜世申梅良模
关键词:光致发光铁磁性导带配位体
Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性
2007年
研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.
刘国磊曹强邓江峡邢鹏飞田玉峰陈延学颜世申梅良模
关键词:ZNO稀磁半导体铁磁性
高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法,所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O,x=0.2~0.45。本发明采用在低温、超低...
刘国磊曹强颜世申梅良模陈延学
文献传递
高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法,所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O,x=0.2~0.45。本发明采用在低温、超低...
刘国磊曹强颜世申梅良模陈延学
文献传递
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