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曹洪涛

作品数:2 被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电阻率
  • 2篇透明导电
  • 2篇透射
  • 2篇透射率
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇性能分析
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇反射率
  • 1篇ZAO薄膜
  • 1篇ZNO
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇东北大学
  • 2篇中国科学院金...
  • 1篇沈阳建筑大学

作者

  • 2篇徐成海
  • 2篇裴志亮
  • 2篇曹洪涛
  • 2篇闻立时
  • 2篇孙超
  • 2篇陆峰

传媒

  • 1篇材料保护
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究被引量:5
2005年
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω·cm和9.73×10-4Ω·cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%。由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好。
陆峰徐成海闻立时曹洪涛裴志亮孙超
关键词:ZAO薄膜衬底直流磁控溅射电阻率透射率
透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析被引量:16
2003年
用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω·cm、可见光透射率在 80 %以上 ,红外波段的反射率达 70 %以上 。
陆峰徐成海曹洪涛裴志亮孙超闻立时
关键词:电阻率透射率反射率
共1页<1>
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