李亚丽
- 作品数：18 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC ICP背面通孔刻蚀研究被引量：3
- 2010年
- 介绍了利用ICP设备,使用SF6基气体对4H-SiC衬底进行背面通孔刻蚀的技术。研究了金属刻蚀掩模、刻蚀气体中O2含量的变化、反应室压力、RF功率和ICP功率等各种条件对刻蚀结果产生的影响,重点对刻蚀气体中O2含量和反应室压力两个条件进行了优化。通过对刻蚀结果的分析,得出了适合当前实际工艺的优化条件,实现了厚度为100μm、直径为70μm的SiC衬底GaN HEMT和单片电路的背面通孔刻蚀,刻蚀速率达700nm/min,SiC和金属刻蚀选择比达到60∶1。通过对工艺条件的优化,刻蚀出倾角为75°～90°的通孔。
- 周瑞张雄文闫锐李亚丽于峰涛张志国冯志红
- 关键词：感应耦合等离子体碳化硅六氟化硫倾角
- 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
- 2006年
- 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
- 郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
- RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
- 2007年
- 对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
- 梁惠来郭维廉宋瑞良齐海涛张世林胡留长李建恒毛陆虹商跃辉冯震田国平李亚丽
- 关键词：RTTRTDHEMT电流峰谷比
- 有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统
- 本发明提供一种有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统。该组件包括射频模块、电源模块和集合口模块；射频模块分别与电源模块和集合口模块连接；射频模块设置有射频天线接口，集合口模块设置有射频集合接口，电源模块设置有电源控...
- 肖宁宋学峰王磊周彪戈江娜徐达郭丰强赵晨安李贺斌胡欣媛郭君刘爱平方利王坤刘文豹郭立涛陈南庭崔亮刘晓莉李亚丽刘方罡杨琦
- SiC肖特基势垒二极管的反向特性被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。
- 杨霏闫锐陈昊张有润彭明明商庆杰李亚丽张雄文潘宏菽杨克武蔡树军
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管场限环场板离子注入
- 一种SiC MESFET栅极制作方法
- 本发明公开了一种SiC MESFET栅极制作方法，该方法在传统工艺的基础上通过增加湿法再氧化的工艺，通入HNO<Sub>3</Sub>水汽对氮氧化硅层进行进一步氮化处理，解决了SiC MESFET界面态密度大、肖特基势垒...
- 商庆杰霍玉柱潘宏菽李亚丽周瑞
- 文献传递
- 微带线垂直过渡结构与微波器件
- 本发明适用于微波毫米波电路技术领域，提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件，该结构包括：金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体；每个微带探针装置的正面设置微带线和微带探针；金属盒体置于两个微带探针装置之间，与每个微带探针...
- 王磊董强王朋吴立丰戴伟谢潇韩玉朝李增路刘荣军左国森李亚丽刘帅
- 文献传递
- RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
- 2007年
- 依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.
- 齐海涛李亚丽张雄文冯震商耀辉郭维廉
- 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管电流峰谷比
- InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
- 2008年
- 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
- 李亚丽张雄文冯震周瑞张志国
- 关键词：谐振隧穿二极管电流峰谷比
- X波段大功率GaN HEMT的研制
- 2008年
- 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。
- 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率
