李国荣
- 作品数：226 被引量：523H指数：12
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程理学更多>>
- 硅掺杂PMS-PZT材料的晶界行为对畴结构和压电性能的影响被引量：4
- 2005年
- 运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO2和PbSiO3,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO2的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨.
- 朱志刚李宝山李国荣郑嘹赢殷庆瑞
- 关键词：锑锰锆钛酸铅TEM压电电畴
- CaBi2Nb2O9层状结构陶瓷的掺杂改性研究
- aBi2Nb2O9(Tc=943℃)为研究对象，用W6+分取代B位的Nb5+，研究不同掺杂位置对材料的结构和性能的影响.运用XRD和SEM对材料的微观结构进行表征，发现所有样品都具有单一正交相结构，抛光热腐蚀后表面晶粒呈...
- 宗立超赵苏串李国荣曾江涛郑嘹赢
- 关键词：掺杂改性居里温度压电性能
- 横向伸缩多层独石式压电微位移器
- 本实用新型涉及一种提供横向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器的结构,属于压电陶瓷微位移器的领域。它是在常规的纵向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器结构和制备的基础上,通过制备上、下表面电极,克服原表面非活性层对横向伸缩位...
- 陈大任李国荣殷庆瑞
- 文献传递
- 一种提高陶瓷表面电极附着力的方法
- 本发明提供了一种提高陶瓷表面电极附着力的方法，包括在陶瓷片表面第一次丝网印刷第一层银电极，烘干后冷却至室温；在第一层银电极上第二次丝网印刷第二层银电极，烘干后冷却至室温。本发明的技术方案简单易行，使得电极层抗拉强度有较大...
- 时雪阮学政满振勇郑嘹赢李国荣
- TiO_2压敏陶瓷的研究进展被引量：2
- 2014年
- TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景。主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势。
- 巩云云初瑞清徐志军马帅郝继功李国荣
- 关键词：二氧化钛压敏陶瓷掺杂
- 一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法，该高功率因子氧化锌热电材料由氧化锌和添加剂组成，其中氧化锌的含量为97.2～99.7 wt%，添加剂的含量为0.3～2.8wt%；所述的添加剂由Al<Sub>2</Su...
- 李国荣田甜刑娟娟郑嘹赢程丽红程健阮学政曾华荣
- 文献传递
- 一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置
- 本申请公开了一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，该装置进一步包括：一原子力显微镜导电探针原位加温模块，用于实现原子力显微镜导电探针的原位加热以及与其相互接触的纳米热电材料微区加热；一纳米塞贝克...
- 曾华荣徐琨淇陈立东赵坤宇李国荣
- 文献传递
- CaZrO_(3)改性(Na,K)NbO_(3)基无铅陶瓷电学性能的温度稳定性被引量：2
- 2021年
- 压电陶瓷广泛用于驱动器、传感器等电子领域,但是目前主要使用的压电陶瓷是铅基陶瓷.基于保护环境和社会可持续发展的需要,无铅压电陶瓷的研发变得迫切.无铅压电陶瓷(K,Na)NbO_(3)(KNN)因具有较高压电常数和居里温度,而受到广泛关注.然而较差的温度稳定性限制了其应用.本文通过二步合成法制备了电学性能温度稳定的(1-x)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.95)Li_(0.05)NbO_(3)-xCaZrO_(3)(NKLN-xCZ)陶瓷,研究了CaZrO_(3)对KNN基陶瓷微结构及电学性能的作用.研究结果表明:适量CaZrO_(3)改善了样品烧结性能,得到了致密陶瓷.随CaZr O_(3)增加,NKLN-CZ陶瓷的三方相(R)-四方相(T)共存出现在组分为0.05 ≤x ≤0.06.x=0.05时,陶瓷样品不但具有高居里温度(T_(c)=373 ℃),而且表现出良好电学性能(d_(33)=198 pC/N,k_(p)=39%,ε_r=1140,tanδ=0.034,P_(r)=21μC/cm^(2),E_(c)=18.2 kV/cm).此外,该陶瓷由于存在弥散R-T相变,导致其相变温度区间拓宽,因此,该陶瓷具有较好的电学性能温度稳定:在温度范围为-50—150 ℃,NKLN-0.05CZ陶瓷的k_(p)保持在34%—39% (k_(p)变化量≤13%).
- 陈小明王明焱唐木智明李国荣
- 关键词：无铅压电陶瓷温度稳定性
- 基于微纳米尺度热检测的非线性放大器
- 本发明涉及一种基于微纳米尺度热检测的非线性放大器，用于原子力显微镜热学成像系统，包括热传感回路、前端信号处理器和非线性检测器，热传感回路接收被测信号，输出所述被测信号的3倍频参考信号和基波信号的电压信号；前端信号处理器对...
- 曾华荣殷庆瑞惠森兴赵坤宇李国荣
- 文献传递
- 一种压电叠堆叉指电极结构及其形成方法
- 本发明提供了一种压电叠堆叉指电极结构及其形成方法，包括在叠堆一侧的电极线上间隔开槽形成第一开口槽，剩余电极线形成第一电极线，第一电极线和第一开口槽相互间隔设置，第一开口槽内灌封绝缘胶。本发明的技术方案电极引出效率高，器件...
- 时雪李国荣郑嘹赢阮学政
