您的位置: 专家智库 > >

李恩玲

作品数:70 被引量:160H指数:8
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省科技攻关计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 28篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇理学
  • 18篇电子电信
  • 12篇一般工业技术
  • 6篇轻工技术与工...
  • 2篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 19篇纳米
  • 15篇密度泛函
  • 15篇密度泛函理论
  • 15篇泛函
  • 15篇泛函理论
  • 14篇团簇
  • 14篇气凝胶
  • 9篇氮化镓
  • 9篇DFT
  • 8篇超临界干燥
  • 7篇溶胶
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 6篇甲醛
  • 6篇甲醛水溶液
  • 6篇GA
  • 6篇簇结构
  • 5篇碳气凝胶
  • 5篇间苯二酚
  • 5篇二酚

机构

  • 69篇西安理工大学
  • 17篇西北大学
  • 6篇西安交通大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇学研究院
  • 1篇西安应用光学...
  • 1篇咸阳师范学院

作者

  • 70篇李恩玲
  • 34篇马德明
  • 24篇崔真
  • 9篇王雪文
  • 8篇周如培
  • 7篇施卫
  • 6篇马红
  • 5篇刘满仓
  • 5篇陈贵灿
  • 4篇胡晓云
  • 4篇陆治国
  • 4篇高爱华
  • 4篇周引穗
  • 3篇王雪
  • 3篇薛英
  • 3篇郑新亮
  • 3篇苑永霞
  • 3篇朱红
  • 3篇吕玉洁
  • 3篇戴元滨

传媒

  • 6篇光子学报
  • 6篇原子与分子物...
  • 6篇西安理工大学...
  • 3篇物理学报
  • 3篇光学学报
  • 2篇计算物理
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇微电子学
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇计量与测试技...
  • 1篇应用光学
  • 1篇电子器件
  • 1篇集成电路通讯
  • 1篇中国测试
  • 1篇第三届全国纳...

年份

  • 6篇2023
  • 12篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
70 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种氮化镓纳米片的制备方法
本发明公开的一种氮化镓纳米片的制备方法,具体步骤如下:步骤1:将固态GaCl<Sub>3</Sub>溶于去离子水中,取一定量的GaCl<Sub>3</Sub>溶液加入烧杯,然后依次将一定量的盐酸溶液、尿素、二水合草酸、聚...
李恩玲刘畅赵宏远郑艳鹏沈鹏飞白凯飞崔真马德明张琳沈洋
文献传递
氮化镓纳米片的制备及测试表征
2023年
二维GaN纳米结构的制备对二维GaN基电子、光电子等纳米器件具有重要意义。文章用化学气相沉积(CVD)制备二维GaN纳米片时用了液态金属催化剂,成功制备二维GaN纳米片,得到制备GaN纳米片的最佳工艺条件。通过对制备的GaN纳米片进行扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线衍射仪(XRD)测试表征,结果表明制备的GaN纳米片是表面光滑、大小薄厚均匀、结晶度良好的六方钎锌矿结构GaN纳米片。
蔡晓平沈鹏飞崔真李恩玲高春昱
关键词:GAN液态金属
氮化镓纳米片的制备及测试表征
2023年
二维GaN纳米结构的制备对二维GaN基电子、光电子等纳米器件具有重要意义。本文采用化学气相沉积(CVD)制备二维GaN纳米片时,使用液态金属催化剂,成功制备了二维GaN纳米片,得到制备GaN纳米片的最佳工艺条件。通过对制备的GaN纳米片进行扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线衍射仪(XRD)测试表征,结果表明:制备的GaN纳米片是表面光滑、大小薄厚均匀、结晶度良好的六方钎锌矿结构GaN纳米片。
蔡晓平沈鹏飞崔真李恩玲高春昱
关键词:GAN液态金属
去除了表面致密层的有机气凝胶及其制备方法
本发明公开的去除了表面致密层的有机气凝胶的制备方法,具体为:步骤1,间苯二酚、甲醛水溶液、碳酸钠和水混合均匀;步骤2,将步骤1所得的混合液转移到恒温箱中静置1‑2d,得到溶胶;步骤3,将玻璃容器和玻璃盖子用碳酸钠水溶液洗...
沈洋成凤娇马德明崔真袁志浩李恩玲
文献传递
Si_(n-1)N和Si_(n-2)N_2(n=3~8)离子团簇结构及其光电子能谱的研究被引量:4
2007年
利用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-311G(d)基组上对Sin-1 N和Sin-2 N2(n=3~8)阴阳离子团簇的几何结构和光电子能谱进行了系统研究。结果得到了各团簇的最稳定结构,Sin-2 N2离子团簇对称性比Sin-1 N离子团簇对称性好;Sin-1 N(n=3~8)离子团簇的几何结构在总原子数,n≤4时为平面结构,n〉4时为立体结构;Sin-2 N2(n=3~8)离子团簇的几何结构在总原子数,n≤6时为平面结构,n〉6时为立体结构;对于Sin-1 N^+团簇,总原子数是偶数的团簇比总原子数为奇数的团簇稳定;对于Sin-2 N^-及Sin-2 N2阴阳离子团簇,总原子数是奇数的团簇比总原子数为偶数的团簇稳定。
李恩玲马德明马红王雪文王雪苑永霞
关键词:离子团簇
未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构
2013年
用密度泛函理论研究直径为9.5,15.9和22.5,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
李恩玲郗萌崔真程旭辉徐锐马德明刘满仓王雪文
关键词:纳米线电子结构密度泛函理论
GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法
本发明公开了一种GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法,具体步骤如下:步骤1,对硅衬底镀铂薄膜,然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理,退火结束后自然冷却到室温,得到衬底A;步骤2,将步骤1得到的衬底A与反应源...
崔真王霞赵娜娜李恩玲王少强
文献传递
基于自扩散-凝结协同作用的密度渐变碳气凝胶及方法
本发明公开的基于自扩散‑凝结协同作用的密度渐变碳气凝胶的制备方法,具体为:首选,将间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水混合均匀然后静置;另外将间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水混合均匀,静置;将上述两种混合溶液混合得混合液C,同时,将混合...
沈洋李恩玲马德明成凤娇崔真袁志浩
文献传递
Ga_nN_m^+(n=1~8,m=1~2)团簇的结构及稳定性的DFT研究被引量:10
2007年
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G*水平上对GanN+(n=2~8)和GanN2+(n=1~7)阳离子团簇的几何结构、稳定性和振动频率等进行研究,得到GanN+(n=2~8)和GanN2+(n=1~7)阳离子团簇的基态结构.其中,GanN+(n=2~8)团簇在总原子数≤6时,其几何结构为平面结构,总原子数>6时,其几何结构为立体结构,N原子位于立体结构的中心;GanN2+(n=2~7)团簇在总原子数≤7时,其基态几何结构为平面结构,总原子数>7时,其基态几何结构为立体结构;原子总数为奇数的团簇Ga4N+,Ga6N+,Ga3N2+和Ga5N2+的基态结构较稳定.
李恩玲马红陈贵灿王雪文
关键词:团簇稳定性
真空开关管内真空度检测的研究被引量:10
2000年
真空灭弧室内真空度将直接影响真空开关的性能。利用自行设计建立的真空实验测试系统研究了灭弧室内真空度与放电电流、两极电压、触头开距之间的关系。尤其是在灭弧室两侧加一横向磁场情况下 ,它对真空灭弧室内真空度测量的作用 ,得到了一些有益的结论 ,为真空灭弧室内真空度的检测提供了有效的途径。
李恩玲刘峰擘
关键词:真空灭弧室真空度放电电流真空开关
共7页<1234567>
聚类工具0