李成明
- 作品数：26 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 量子级联激光器材料生长及器件制作
- 该论文利用MBE技术制备了高质量InP基InGaAs/InAlAs量子级联激光器材料,通过X射线双晶衍射、透射电镜和子带间吸收谱等实验手段深入细致地研究了量子级联激光器材料的光学性质和生长机理.利用光刻、带胶蒸发剥离以及...
- 李成明
- 关键词：量子级联激光器红外器件分子束外延X射线衍射光学微腔
- 量子级联激光器的材料生长与器件制作
- 本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm<'2>的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm<'2>,峰值输出功率是~7.2mW.
- 常秀兰李成明刘峰奇王占国
- 关键词：量子级联激光器
- 文献传递
- 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
- 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，...
- 杨少延范海波李成明陈涌海王占国
- 文献传递
- 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
- 一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；...
- 杨少延陈涌海李成明范海波王占国
- 文献传递
- n型GaN过渡族难熔金属欧姆电极对比被引量：2
- 2019年
- 研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.结果表明,同等退火条件下的Hf/Al电极,相比于传统Ti/Al电极,展现出了更加优越的欧姆接触性能.在N2氛围中低温650℃条件下退火60 s的Hf/Al电极得到了最低的比接触电阻率为4.28×10^-5Ω·cm^2.本文还利用深度剖析的俄歇电子能谱仪对电极的结构特性进行了分析,经历退火的Hf/Al电极样品中金属与金属,金属与GaN之间发生了相互扩散.对Hf/Al,Ti/Al电极表面进行了扫描电子显微镜表征,两种电极均表现出颗粒状的粗糙表面.
- 何天立魏鸿源李成明李庚伟
- 关键词：N型GAN欧姆接触快速热退火铪
- AlN单晶衬底生产设备及其使用方法
- 一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气...
- 李辉杰杨少延魏鸿源赵桂娟汪连山李成明刘祥林王占国
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- 量子点垂直腔面发射激光器有源区制备研究
- 采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子...
- 孟宪权徐波金鹏李成明张子杨赵凤瑷刘峰奇王占国
- 关键词：量子点垂直腔面发射激光器光纤通讯垂直腔面
- 文献传递
- 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
- 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装...
- 杨少延陈涌海李成明范海波王占国
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- 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
- 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装...
- 杨少延陈涌海李成明范海波王占国
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- 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法
- 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
- 陆秀真常秀兰李成明刘峰奇王占国
- 文献传递
