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李敢生

作品数:38 被引量:59H指数:4
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇理学
  • 8篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 20篇晶体
  • 15篇激光
  • 8篇钒酸钇
  • 7篇晶体生长
  • 7篇YVO
  • 5篇钒酸钇晶体
  • 5篇ND
  • 4篇照射
  • 4篇铝酸钇
  • 4篇激光器
  • 4篇SUB
  • 3篇提拉法
  • 3篇偏振
  • 3篇线偏振
  • 3篇光纤
  • 3篇ND:YAP
  • 3篇ER
  • 2篇单畴
  • 2篇单晶
  • 2篇倒扣

机构

  • 36篇中国科学院福...
  • 3篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 38篇李敢生
  • 16篇吴喜泉
  • 11篇吴少凡
  • 9篇吕坚
  • 8篇郭喜彬
  • 7篇吴锦华
  • 6篇谢剑凌
  • 5篇俞振森
  • 5篇诸月梅
  • 5篇滕硕
  • 4篇沈鸿元
  • 4篇曾瑞荣
  • 4篇位民
  • 4篇黄呈辉
  • 3篇霍玉晶
  • 3篇林文雄
  • 3篇王建国
  • 2篇陈金凤
  • 2篇黄见洪
  • 2篇庄健

传媒

  • 11篇人工晶体学报
  • 5篇硅酸盐学报
  • 2篇中国激光
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第五届全国光...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2003
  • 1篇2001
  • 6篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 4篇1993
  • 5篇1992
  • 1篇1991
  • 3篇1990
  • 2篇1989
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铝酸钇(YAlO_3)晶体熔料中碳化铝(Al_4C_3)的形成、作用和除去被引量:2
1992年
用化学模拟合成方法证实,在YAlO_3晶体熔料中的碳杂质在缺氧和高温下,与Al_2O_3形成另一类杂质碳化铝(Al_4C_3)。这种碳化铝在晶体生长中引发气泡和光弥散颗粒(<1μm)。研究了熔料碳含量与晶体光弥散的关系。用通过纯化空气流加热除碳法,制备出碳含量为120~200×10^(-8)的熔料,并生长出无气泡和无光弥散区的长度在150mm以上Nd:YAlO_3单晶。
吕坚郭喜彬李敢生吴锦华施真珠
关键词:铝酸钇晶体熔料
一种晶体生长的坩埚安置法
一种晶体生长的坩埚安置法,涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法,涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法,包括:模板制作,倒扣坩埚,放置热电偶,填充保温材料氧化锆粉末,翻转模板,清洁处理等步骤。此法是晶体...
吴少凡吴喜泉谢剑凌李敢生
文献传递
钒酸钇双折射晶体原料的去水合成被引量:1
1997年
钒酸钇(YVO4)是一种非常优良的双折射晶体。它不仅具有大的双折射值(0.21,在1.34μm下),而且易生长出大尺寸、高质量的晶体,同时也易加工镀膜。现今已逐渐取代方解石和金红石,在光纤通讯中作为光隔离器里的偏振楔形物以及在以可见光到红外(5μm)的光偏振器和分裂器上应用。从早期生长的YVO4晶体透射光谱中发现在2.9μm波长附近有一个很宽的吸收峰。这是水和水致杂质(OH)-吸收所致。这将给在此波段范围内的晶体应用受到了限制。因此防止YVO4原料合成及晶体生长过程中的水和水致杂质污染是十分必要的。YVO4为金属氧化物,其原料或熔体在高温含水的气氛条件下,会引起高温水解作用生成氢氧作物:MO+αH2O→MO1-α(OH)2α(1)或表示为:O2+H2O→2(OH)-(2)在晶体生长过程中,这些氢氧化物即水致杂质(OH)-会不断地混入到晶体中引起了污染。因为水是无处不有并难以控制的杂质。因此我们尤其在原料烧结和晶体生长过程中除了尽力改善防水条件,例:原料放在隔离保纯炉内烧结防止潮湿气流入炉中,原料应保存在干燥器中。生长炉内保温材料防湿及炉壁干燥等均会减少(OH)-对YVO4晶体污染但无法根除。防止(OH)-对?
李敢生位民诸月梅俞振森滕硕吴喜泉
关键词:钒酸钇晶体脱水晶体
氟化铝锶锂(LiSAF)原料简易合成方法
本发明涉及一种合成氟化铝锶锂(LiSAF)原料的简易方法。将LiF,SrF<Sub>2</Sub>,AlF<Sub>3</Sub>3.5H<Sub>2</Sub>O作为初始原料与NH<Sub>4</Sub>F或NH<Su...
吴喜泉李敢生
文献传递
一种提拉法晶体生长的坩埚安置法
一种晶体生长的坩埚安置法,涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法,涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法,包括:模板制作,倒扣坩埚,放置热电偶,填充保温材料氧化锆粉末,翻转模极,清洁处理等步骤。此法是晶体...
吴少凡吴喜泉谢剑凌李敢生
文献传递
掺铒铝酸钇(Er^(3+):YAlO_3)单晶生长被引量:2
1990年
开拓新波段的应用是现今固体激光器发展方向之一。掺铒铝酸钇(Er^(3+):YAlO_3)激光晶体是1.66μm及2.7—2.9μm波段固体激光器重要工作物质。本文着重描述Er^(3+)YAlO_3原料硝酸去水、氮气氛加少量氧以及熔体过热等对生长的晶体质量的影响。
李敢生吕坚吴锦华杨桦
关键词:晶体生长熔体过热铝酸钇
钒酸钇晶体原料的提纯被引量:6
2000年
钒酸钇晶体的质量与原料的纯度有着直接的关系 ,提高原料纯度不但可以克服散射中心和多晶的形成 ,还可以在保证晶体质量的同时 ,提高晶体的生长速度。市场上出售的NH4VO3为分析纯 ,稀土杂质含量为ppm量级 ,非稀土杂质的含量比稀土杂质含量高几个数量级 ,其中铁的含量为 5 0ppm。所以提纯的重点应放在降低非稀土杂质的含量上。我们把Na、K、Ca、Mg、Si和Fe作为特定杂质。铁离子是荧光猝灭剂 ,含量高时对激光十分有害。因此应首先解决除铁的问题。使Fe3 +离子水解析出沉淀Fe(OH) 3 长期以来作为一种典型的除铁方法 ,可以除去大部分的铁。但对微量的铁却没有什么效果 ,因为Fe(OH) 3 具有胶体的性质 ,不仅沉淀速度慢 ,过滤困难 ,通常应用聚凝剂使Fe(OH) 3 聚沉淀或长时间加热煮沸破坏胶体 ,但由于溶液澄清 ,不易聚沉淀 ,且不能长时间加热 ,所以从溶液中分离微量铁是很困难的。共沉淀可以除去绝大部分的铁 ,但原料的损耗太大。我们采用二次重结晶的方法来提纯NH4VO3 。为了除去其中的Fe3 +第一次重结晶时加入EDTA ,因为FeEDTA-2 的稳定常数比五价钒的大 9个数量级 ,所以可以除去绝大多数的Fe3 +。第二次重结晶时加入邻二氮菲 ,主要为了降低Fe2 +的含量 ,同时除去可与邻二氮菲生成稳定络和物的Cu、Co和Ni等杂?
吴少凡李敢生诸月梅滕硕熊建华
关键词:钒酸钇晶体
氟化铝锶锂(LiSAF)原料简易合成方法
本发明涉及一种合成氟化铝锶锂(LiSAF)原料的简易方法。将LiF,SrF<Sub>2</Sub>,AlF<Sub>3</Sub>3.5H<Sub>2</Sub>O作为初始原料与NH<Sub>4</Sub>F或NH<Su...
吴喜泉李敢生
文献传递
钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法
本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ba<Sub>1-x</Sub>Sr<Sub>x</Sub>TiO<Sub>3</Sub>单晶,其中0.01≤X≤0.1。该器件具有良好的光折变性能,用来...
庄健李敢生高宪成郭喜彬黄亦好施真珠翁雅英吕坚
文献传递
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法
本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法,运用激光方向性好、亮度高等性质,对籽晶方向的偏离进行放大、纠正,将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部,然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置,在转动籽晶杆...
吴喜泉吴少凡李敢生
文献传递
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