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李春磊

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇发光
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇阴极射线
  • 2篇阴极射线发光
  • 2篇商用
  • 2篇纳米带
  • 2篇氨气
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇锌基
  • 1篇铝基
  • 1篇介观物理
  • 1篇光性质
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性质

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇李春磊
  • 2篇杨绍光

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
铝基一维纳米结构和锌基异质结构的制备及发光性质研究
一维纳米结构如纳米线、纳米带、纳米管以及一维纳米异质结构等，由于它们在介观物理以及纳米器件中的应用，近年来逐渐成为一个热门的研究领域。它们在做为电子、光电子、电化学、以及机械器件功能部件，在纳米尺度的互连和功能单元等应用...
李春磊
关键词：一维纳米结构发光性质介观物理
一种制备半导体材料纳米结构氮化铝的方法
本发明公开了一种快速制备半导体材料纳米带的方法，首先将Al粉末研磨至50nm~1000nm，将研磨好的粉末放置在反应管内，然后将干燥过的氮气吹入反应管中，再对反应管进行加热，在700~1200℃下Al就会和氮气反应，在原...
李春磊杨绍光
文献传递
一种制备半导体材料纳米结构氮化铝的方法
本发明公开了一种快速制备半导体材料纳米带的方法，首先将Al粉末研磨至50nm~1000nm，将研磨好的粉末放置在反应管内，然后将干燥过的氮气吹入反应管中，再对反应管进行加热，在700~1200℃下Al就会和氮气反应，在原...
李春磊杨绍光
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