李林
- 作品数：89 被引量：127H指数：6
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布...
- 赵英杰钟景昌晏长岭李林郝永芹李轶华苏伟姜晓光
- 文献传递
- InGaAsSb量子阱的MBE生长和光致发光特性研究被引量：1
- 2011年
- 采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构,利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究。研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响,探索了发光波长与有源层量子阱厚度的关系。发现外延生长时衬底温度对材料的质量有重要影响;在一定范围内,量子阱厚度不断增加会导致材料的光致发光波长增加。
- 邹永刚刘国军马晓辉史全林李占国李林隋庆学张志敏
- 关键词：INGAASSB分子束外延光致发光
- 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之...
- 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邹永刚邓昀王勇王晓华赵英杰
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究被引量：3
- 2005年
- 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。
- 李林钟景昌张永明赵英杰王勇刘文莉郝永琴苏伟晏长岭
- 脊形波导耦合的光纤阵列设计被引量：2
- 2004年
- 分析了单模光纤与脊形波导的耦合模理论,讨论了其模式特点、最佳耦合条件。在此基础上,计算并设计出满足最佳耦合条件的光纤阵列V 型槽宽度。所设计的光纤阵列在对光纤提供高精度定位的同时,又能保证其与脊形波导的高效率耦合。
- 郝永芹钟景昌赵英杰李林张永明晏长岭苏伟
- 关键词：光纤阵列脊形波导
- InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究被引量：2
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。
- 王玉霞王晓华李林赵英杰芦鹏张晶
- 关键词：单量子阱激光器MOCVD
- 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延方法
- 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于...
- 刘国军李占国李林李梅尤明慧芦鹏陈佳音李辉王勇乔忠良邓昀高欣
- 文献传递
- RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
- 2005年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。
- 李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军
- 关键词：分子束外延半导体材料
- 一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法
- 大尺寸量子点属于半导体光电子材料技术领域。该领域已知技术所探索的各种制备低维量子材料的方法中，不足之处是难于控制量子点的空间尺寸、形状和组分分布，使得它难于方便地引入器件中发挥效应。尤其是结构中难以控制的各向异性(形状、...
- 李占国刘国军李林李梅尤明慧乔忠良王勇邓昀王晓华赵英杰李联合
- 文献传递
- MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性被引量：4
- 2014年
- 通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。发现在相同生长条件下,势垒层低温生长的量子阱发光更强;降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度,同时发光的峰值波长会出现红移。相同生长条件下,样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强,半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小。
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- 关键词：金属有机物化学气相沉积偏向角
