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李潇

作品数:17 被引量:1H指数:1
供职机构:华南理工大学更多>>
相关领域:交通运输工程自动化与计算机技术经济管理电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 5篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇压敏
  • 3篇氧化物
  • 2篇电离
  • 2篇电路
  • 2篇电位梯度
  • 2篇电压
  • 2篇电压非线性
  • 2篇电阻器
  • 2篇压敏陶瓷
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇运算放大器
  • 2篇运算放大器电...
  • 2篇栅压
  • 2篇陶瓷
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇欠电压

机构

  • 17篇华南理工大学
  • 1篇广州运星科技...

作者

  • 17篇李潇
  • 4篇卢振亚
  • 3篇彭俊彪
  • 3篇兰林锋
  • 2篇陈志武
  • 2篇胡杰
  • 2篇邓腾飞
  • 1篇徐建闽
  • 1篇陈健
  • 1篇陈思婷

传媒

  • 1篇产业与科技论...
  • 1篇第十八届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2010
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
人民币的快速升值会不会令中国重蹈日本覆辙
2010年
近几年人民币不断升值,引来了诸如流动性过剩、房地产泡沫等问题,这不禁令人担忧,中国会不会像上个世纪的日本一样,陷入经济全面崩溃的困境。鉴于中国与日本之间在本币升值的内外因方面都存在着不同之处,中国可以在本币快速升值的压力下求得经济的生存发展。
李潇
关键词:广场协议泡沫经济货币政策
网联车与非网联车混行条件下交通信号协调与车速引导方法研究
智能网联汽车在技术上已经取得了长足进步,利用雷达、IMU与摄像头感知道路交通信息,根据预设车辆控制算法实现不同交通环境下的驾驶策略。而“万物互联”又是未来科技的发展趋势,实现“车与车”、“车与路”之间联动是未来智能交通发...
李潇
关键词:多源数据融合交通流量绿波带
中国情境下差序式领导对员工敬业度的作用机制研究
在复杂且充满不确定性的当下,员工敬业对企业的稳定与可持续发展显得愈发重要。如何有效提升员工的敬业度,已成为企业管理者和学者们共同关注的议题。以往研究证实领导风格能够影响员工的态度与行为。然而目前为止,大部分探讨中国情境下...
李潇
关键词:员工敬业度心理授权自我决定理论
一种用于采集道路交通流的采集装置
本实用新型提供一种用于采集道路交通流的采集装置,属于信息采集技术领域,该用于采集道路交通流的采集装置包括支撑框,所述支撑框的上表面固定连接有固定座,所述固定座的内底壁固定连接有转向电机,所述转向电机的输出端固定连接有转盘...
李潇徐建闽
文献传递
ZnO压敏电阻平面晶界势垒的构建及研究
ZnO压敏电阻,以其优良的非线性特性而被广泛的应用于电力电子线路中抑制浪涌电流,普遍认为,其优良的非线性特性是由于在晶界处形成了背靠背的双肖特基势垒。本论文以双肖特基势垒模型为基础,研究溶胶凝胶-旋涂法和磁控溅射法不同工...
李潇
关键词:ZNO压敏电阻磁控溅射法
氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
一种氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高薄膜晶体管稳定性和迁移率的方法,氧化物半导体靶材包括基质氧化物半导体材料和正四价镧系离子。利用含有正四价镧系离子的氧化物半导体靶,制备作为薄膜晶体管沟道层的薄膜材料,并相应制备...
兰林锋李潇彭俊彪
文献传递
高迁移率、高稳定性氧化物薄膜晶体管的研究
氧化物薄膜晶体管(TFT)是以氧化物半导体(Oxide Semiconductor)为沟道材料的薄膜晶体管。与非晶硅、低温多晶硅和有机TFT等相比,氧化物TFT因其场效应迁移率较高、电学性能均匀性好、关态电流低且与传统面...
李潇
关键词:薄膜晶体管迁移率稳定性
Sb2O3、SiO2和MgO复合掺杂制备高电位梯度氧化锌压敏陶瓷
<正>通过Sb2O3、SiO2和MgO掺杂,采用固相法制备出具有高电位梯度的ZnO压敏陶瓷材料,研究了Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电学性能的影响。实验结果表明:在传统ZnO-Bi2O3-...
李潇陈奕创卢振亚陈志武
文献传递
基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路
本实用新型公开了基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路;其第二电容器与第二稳压二极管并联,对应第二稳压二极管阴极的并联端与第二半导体开关元件的控制极或栅极相连,对应第二稳压二极管阳极的并联端与第二半导体开关元件的阴极或源...
卢振亚胡杰邓腾飞李潇
文献传递
氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高其稳定性的方法
一种氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高薄膜晶体管稳定性和迁移率的方法,氧化物半导体靶材包括基质氧化物半导体材料和正四价镧系离子。利用含有正四价镧系离子的氧化物半导体靶,制备作为薄膜晶体管沟道层的薄膜材料,并相应制备...
兰林锋李潇彭俊彪
共2页<12>
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