杨巧勤
- 作品数：27 被引量：66H指数：5
- 供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- X射线衍射研究球磨Si_3N_4粉末的特征被引量：2
- 1996年
- Si_3N_4,粉末在行星球磨机中以酒精为研磨液进行湿磨,直至195小时。采用X射线粉末衍射研究了Si_3N,粉末晶块尺寸值和晶格畸变量与研磨时间的关系,晶块尺寸值与晶格畸变量的分离基于两项宽化效应对布拉格角的依赖不同:结果表明:在最初50小时研磨中,晶块细化很快,超过170小时后,晶块不再减小;经195小时球磨.粉末晶块尺寸值从未磨样的0.23μm减少到0.074μm:经计算得未磨样最小位错密度为O_D=5.7×10~8cm^(-2);球磨195小时样品最小位错密度为μD=5.4×10~10cm^2。这么高的位错密度通常会引起粉末严重畸变。 而所测晶格畸变量在最初7O小时的研磨中出乎意料地减小很快,从未磨样品晶格畸变量的0.032%减少到0.013%。这种高位错密度与低残留弹性应变说明位错是以降低应变的方式排列,如此一种排列方式可能是位错的多边排列,亦不能排除由于部分非晶化对对降低应变的的作用。
- 杨巧勤唐绍裘李学谦杜海清
- 关键词：X射线衍射球磨粉末氮化硅陶瓷
- 工艺参数对金刚石薄膜显微结构与性能的影响
- 1998年
- 着重研究了甲烷浓度、基体温度等工艺参数对热丝CVD法金刚石薄膜显微结构与性能的影响。基体温度（低于1050℃）越高，甲烷浓度越低，膜中非金刚石碳的含量就越低，金刚石的晶形就越完整，晶粒也越大，因而金刚石薄膜的电阻率、初始氧化温度就越高。金刚石薄膜电阻率随温度升高而线性下降，电阻温度系数达2×1010Ω·cm／’℃。
- 杨巧勤赵南方赵立华肖汉宁
- 关键词：金刚石薄膜显微结构工艺参数薄膜生长
- 金刚石薄膜研究的进展
- 1992年
- 一、概况金刚石墨膜可以充分发挥金刚石优异的性能,可广泛应用于力学、热学、电子学、光学等多项尖端技术领域,如刀具、集成电路和激光的散热片,红外窗口、高温半导体等,是一种很有发展前途的新型的功能材料。由于在许多不同材料上可以以气相沉积金刚石薄膜,这种涂覆技术的进展更激起了大家的兴趣,具有各种形态和不同物理性质的金刚石薄膜已经获得成功,在某些情况下。
- 陈本敬苏玉长李绍禄杨巧勤王秀琼
- 关键词：金刚石
- 烧结温度对C-B_4C-SiC复合材料显微结构与性能的影响被引量：3
- 1995年
- 本文就烧结温度对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ炭／陶复合材料显微结构与性能影响进行了研究，发现复合材料密度、强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧结温度的升高而下降，这和烧结体显微结构（气孔率、晶粒大小与分布、晶界状况等）密切相关。
- 黄启忠杨巧勤杜海清黄伯云吕海波
- 关键词：烧结温度复合材料显微结构炭素电阻率
- 硼含量对Ti-B-N纳米复合涂层显微结构与性能的影响被引量：3
- 1998年
- 将硼加入Ti－N涂层，使用活化离子镀制备出了硼含量为（5～16）at％的Ti－B－N涂层，并着重研究了硼含量对Ti－B－N涂层结构与性能的影响。EPMA与AES分析表明，Ti－B－N涂层元素Ti、B、N在涂层内分布均匀，但在膜／基界面处有一界面扩散区。TEM显微分析表明，Ti－B－N涂层为致密微细的纳米晶多相复合结构，晶粒度不超过50nm。XRD与XPS综合分析表明，Ti－B－N涂层主要由面心立方TIN、简单正交TiB、立方BN与简单六方Ti－B－N相组成，且随着硼含量的增加，含硼相含量增加。Ti－B－N涂层的硬度、韧性与附着强度等力学性能比相应的Ti－N涂层要好得多，且其沉积温度更低。
- 杨巧勤赵立华赵南方李德意肖汉宁
- 关键词：硼含量纳米晶
- C－B_4C－SiC复合材料的抗热震性能被引量：5
- 1995年
- 对运用热压法制成的Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料进行了抗热震性能的研究，发现样品经６００℃水淬热震后，抗弯强度反而提高，提高幅度为３％～４１％，且和它的相对密度、原始强度有关。作者从机理上初步解释了这种特异现象，认为这是微裂纹增韧强化和残余应力释放的协同作用而产生的现象。
- 黄启忠杨巧勤谭平黄伯云吕海波
- 关键词：复合材料抗震性能陶瓷材料碳化硼碳化硅
- 热丝CVD法金刚石薄膜宏观内应力分析被引量：6
- 1998年
- 研究了热丝ＣＶＤ法金刚石薄膜本征内应力随甲烷的体积分数（０４％～１２％）、生长温度（８００℃～１０００℃）等生长工艺参数的变化关系。在所研究的工艺参数范围内，金刚石薄膜的本征内应力为拉应力。拉应力值随着碳源浓度的升高近乎呈线性减小；在生长温度为９００℃时最小，升高或降低生长温度都会增大。这一变化关系可用薄膜中非金刚石碳含量和晶粒度大小对内应力值的影响进行解释。
- 赵南方杨巧勤赵立华赵立华李德意
- 关键词：金刚石薄膜内应力
- 烧成温度对C－B＿4C－SiC复合材料结构与性能的影响
- 1995年
- 本文就烧成温度对Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料结构与性能的影响进行了初步研究，发现复合材料密度、强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧成温度的升高而下降，这和烧成体显微结构（气孔率、晶粒大小与分布、晶界状况等）密切相关。
- 黄启忠杨巧勤杜海清黄伯云吕海波
- 关键词：烧成陶瓷复合材料电阻率
- C—SjC—TiC—TiB_2复合材料的原位合成及热压烧结
- 1998年
- 以熟焦、炭纤维、B_4C、SiC、Si、TiO_2和TiC为原料、采用原位合成及热压技术研究了不同TiO_2和TiC含量对多组分碳/陶复合材料的组成、结构和性能的影响。在烧结过程中TiO_2或TiC与B_4C反应原位生成TiB_2,Si和TiO_2分别与C反应生成SiC和TiC,这些陶瓷相的生成对提高碳/陶复合材料的力学性能有显著作用。加入TiO_2比TiC能使碳/陶复合材料在较低的温度下实现致密化烧结,获得了抗弯强度达430 MPa的碳/陶复合材料。
- 黄启忠肖汉宁杨巧勤
- 关键词：原位合成热压烧结力学性能
- 热丝CVD法高速生长金刚石膜研究被引量：4
- 1996年
- 使用热丝ＣＶＤ法研究了碳源种类、氧气含量、灯丝温度、基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优化工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ。
- 赵立华杨巧勤李绍禄苏玉长陈本敬杜海清
- 关键词：化学气相沉积金刚石膜
