杨建峰
- 作品数：14 被引量：36H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术医药卫生金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法
- 本发明公开了一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法，采用纳米碳化硅和中间相炭微球为原料，其中纳米碳化硅占原料的2～10wt.％，经过无水乙醇湿混、干燥后，在室温下50～400MPa压力成型，再在氮气氛下900～1500℃高...
- 乔冠军夏鸿雁王继平史忠旗杨建峰王红洁
- 文献传递
- 以中间相炭微球为炭源的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开一种以中间相炭微球为炭源的反应烧结碳化硅陶瓷制备方法，首次采用中间相炭微球为炭源和10～40wt.％碳化硅粉为原料，无需添加额外粘结剂，经过无水乙醇湿混、干燥后，在室温下50～100MPa模压成型，将成型后的生...
- 王继平夏鸿雁乔冠军史忠旗杨建峰王红洁
- 文献传递
- 6H-SiC单晶中的蜷线
- 2007年
- 用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：碳化硅位错
- 一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法
- 本发明公开了一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法，采用纳米碳化硅和中间相炭微球为原料，其中纳米碳化硅占原料的2～10wt.％，经过无水乙醇湿混、干燥后，在室温下50～400MPa压力成型，再在氮气氛下900～1500℃高...
- 乔冠军夏鸿雁王继平史忠旗杨建峰王红洁
- 碳热还原-反应烧结法制备多孔氮化硅陶瓷
- 本文利用反应烧结和二氧化硅与碳黑的碳热还原工艺相结合制备了棒状晶粒互相搭接的多孑孔氮化硅陶瓷。烧结后完全转化为β-Si3N4相，气孔分布均匀，线性收缩率接近零，实现净尺寸烧结。使用细硅粉有利于得到高长径比的β-Si3N4...
- 鲁元杨建峰陆伟忠刘荣臻乔冠军鲍崇高
- 关键词：SINTERINGPOROSITYSI3N4
- 不同pH值和F^-浓度人工唾液对钛/瓷结合的影响被引量：4
- 2007年
- 研究了不同pH值和F^-浓度人工唾液对钛/瓷结合性能的影响。将实验室制备的钛瓷粉分层烧结于钛片上,浸泡于37℃,pH2.7、pH7.0/F^-100μg·mL^(-1)与pH2.7/F100μg·mL^(-1)的人工唾液中,测量了浸泡7d和30d试件的三点弯曲结合强度,应用扫描电镜观察了瓷剥脱后钛表面的形貌,并进行了EDX分析。结果显示:pH2.7/F^-100μg·mL^(-1)组试件的钛/瓷结合强度明显低于未浸泡组,其余各组与未浸泡组相比无显著差异。研究结果提示:酸性环境中,F^-的存在可使钛/瓷结合强度降低,而酸性环境和低浓度的F^-环境对钛/瓷结合强度则没有明显影响,口腔内有钛瓷修复体的患者应慎用含氟口腔产品。
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- 关键词：人工唾液
- 核反应堆控制材料—B_4C的研究被引量：15
- 1991年
- 本文通过试验确定了B_4C合成反应的最佳温度。x射线衍射分析表明:合成物为六方碳化硼和少量的游离碳,晶格常数测定及化学分析表明B/C小于4。分别采用常压烧结和热压烧结制成了B_4C陶瓷试样,测定和研究了不同烧结温度下,B_4C陶瓷的密度、气孔率、晶粒大小、抗弯强度及其相互关系,确定了B_4C的最佳烧成温度。用扫描电镜测定B_4C烧结体的晶粒尺寸为3～15μm,由膨胀仪测出B_4C的热膨胀系数为4.45～5.5×10^(-6)/℃。
- 王永兰金志浩郭生武高积强杨建峰李光新
- 关键词：反应堆B4C
- 生物形态多孔氮化钛陶瓷的碳热氮化法制备被引量：3
- 2006年
- 研究了以生物模板(木炭)浸渍TiO2溶胶,高温碳热-氮化制备TiN陶瓷的工艺过程。应用热力学原理计算了经溶胶浸渍后形成的TiO2／C复合体系的氮化条件,确定了N2,CO分压对氮化温度的影响。采用碳热氮化法,在高浓度的氮气压力下反应烧结制备了具有生物形貌的多孔TiN／C陶瓷。结果表明:在1400℃,4 h,0．5 MPa氮气压力下,得到了具有立方晶体结构的TiN／C多孔陶瓷,并保留了木材模板的显微结构。
- 罗民高积强张笑杨建峰侯广亚欧阳达金志浩
- 关键词：生物模板木材陶瓷氮化钛
- 锆铌合金冷变形与低温退火板织构的研究被引量：1
- 1994年
- 测定了锆－２．５Ｗｔ％铌合金在冷变形量为２０％，５０％及４００℃退火后的板织构，计算了织构系数，讨论了织构形成、发展与工艺的关系。结果表明，冷加工变形量越大，织构越强烈；冷加工变形织构在４００℃／２４ｈ退火后不仅不会消失，反而会得到加强，这是由于择优取向的亚晶在退火回复过程中变得更加完整的原因。
- 高积强王永兰杨建峰金志浩杨继材
- 关键词：织构退火
- 附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)被引量：2
- 2007年
- 研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：PVTSIC晶体
