杨祖慎
- 作品数：15 被引量：10H指数：2
- 供职机构：新疆大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 强脉冲X射线辐照Si-SiO_2界面对C-V和I-V特性曲线的影响被引量：1
- 2002年
- 利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低剂量率辐射结果不同 ;辐射后 ,感生 I-V曲线产生畸变 ;特别地 ,从 I-V曲线上还反映出强脉冲 X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化 ,最后甚至失效。讨论了强脉冲 X射线辐照对 Si-Si O2 界面产生损伤的机理 。
- 杨志安靳涛杨祖慎姚育娟罗尹虹戴慧莹
- 关键词：MOS器件
- 线性及非线性吸收热致光学限幅效应的讨论被引量：2
- 1998年
- 本文分别对在连续和脉冲激光入射下，对由材料线性和非线性吸收产生的热致光限幅效应进行了研究，给出了产生最大光限幅效应的条件，为热效应光学限幅器应用于光学器件的激光防护提供了理论依据。
- 贾振红杨祖慎郭兆祥吴树荣李劬
- 关键词：光限幅热效应脉冲激光
- 量子光场中二能级原子自发辐射跃迁速率的非微扰求法
- 1998年
- 本文在相互作用表象及偶极近似下，利用非微扰方法求量子光场中二能级原子自发辐射的跃迁速率并讨论了结果的意义．
- 杨祖慎王丽马卫平
- 关键词：量子光场跃迁速率
- PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
- 2005年
- 根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
- 靳涛杨志安杨祖慎姚育娟罗伊虹
- 关键词：场效应晶体管
- 经软X射线辐照的InP的表面损伤态
- 1999年
- 采用Ｘ光激发光电子能谱（ＸＰＳ）对经同步辐射软Ｘ光辐照的ＩｎＰ表面进行了分析。实验结果表明：ＩｎＰ表面辐照损伤与辐照Ｘ光的能量及剂量有关，尤其是具有近Ｐ原子Ｋ壳层共振吸收能量的软Ｘ光辐照与其它Ｘ射线辐照相比，其结果有所不同。文中就实验结果的机制进行了初步探讨。
- 刘昶时靳涛武光明杨祖慎
- 关键词：软X射线辐照损伤
- 纳米硅量子点的自然形成及其发光特性被引量：2
- 2000年
- 用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。
- 高文秀陈松岩刘宝林黄美纯陈小红杨祖慎
- 关键词：硅量子点纳米
- 一种发散角极小的 He-Ne 激光器
- 1997年
- 一种发散角极小的Ｈｅ－Ｎｅ激光器杨祖慎郭兆祥戴康（新疆大学物理系乌鲁木齐８３００４６）激光器谐振腔的几何参数大小直接影响到激光束的特性，调整此参数可控制激光束的发散角。一般情况下Ｒ／Ｌ比值越大，则发散角越小（这里Ｒ是凹面反射镜的曲率半径，Ｌ是激光器谐...
- 杨祖慎郭兆祥戴康
- 关键词：发散角HE-NE激光器谐振腔曲率半径大学物理
- 一种可获得“迁移率谱”的新方法——瞬时热电效应法
- 1997年
- 介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍．
- 高文秀黄美纯陈传鸿杨祖慎
- 关键词：热电效应载流子
- MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量被引量：1
- 2002年
- 利用电子顺磁共振 (EPR)技术测量了 (1 0 0 )晶向硅衬底材料上制作的 MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁 (EPR)吸收谱 ,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化 .结果表明 ,辐照前后带有单个未成对自旋电子的 Pb0 中心浓度未发生明显变化 ,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷 ,电子辐照后观察到Pb1 中心的出现并随辐照注量增大 ,质子辐照后则未观察这一现象 .当质子辐照到 1 0 1 4p/ cm2时 ,引起部分体缺陷顺磁中心的消失 .电子辐照后 ,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大 ,表明电子与质子辐照作用机制的差异 ,质子辐照中位移效应和 H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因 .
- 范隆靳涛杨祖慎杨志安
- 关键词：MOS结构ERP质子
- 非线性光学慢变波幅的耦合波方程
- 1995年
- 本文处理了非线性光学中波幅缓慢变化并沿对称轴方向传播时的耦合波方程，给出了一个较为简单的结果．
- 王丽杨祖慎
- 关键词：非线性光学耦合波方程波幅
