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杨银堂

作品数：1,595 被引量：1,631H指数：16
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1,045篇专利
  • 523篇期刊文章
  • 21篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 677篇电子电信
  • 144篇自动化与计算...
  • 43篇理学
  • 28篇电气工程
  • 13篇一般工业技术
  • 11篇文化科学
  • 5篇核科学技术
  • 4篇化学工程
  • 4篇机械工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇石油与天然气...

主题

  • 329篇电路
  • 133篇转换器
  • 132篇晶体管
  • 123篇半导体
  • 119篇场效应
  • 113篇集成电路
  • 103篇网络
  • 102篇功耗
  • 99篇放大器
  • 98篇信号
  • 87篇模数转换
  • 87篇模数转换器
  • 87篇互连
  • 69篇硅
  • 68篇低功耗
  • 66篇上网
  • 66篇片上网络
  • 59篇通信
  • 55篇电阻
  • 52篇电容

机构

  • 1,589篇西安电子科技...
  • 8篇西安交通大学
  • 8篇教育部
  • 6篇西安邮电学院
  • 6篇西北大学
  • 5篇中国航天北京...
  • 4篇西北工业大学
  • 3篇西安微电子技...
  • 3篇中国科学院
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇中国人民解放...
  • 3篇中华人民共和...
  • 2篇北京大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇西安石油大学
  • 2篇西北电讯工程...
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇河北工程大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 1,595篇杨银堂
  • 610篇朱樟明
  • 192篇段宝兴
  • 147篇董刚
  • 135篇刘帘曦
  • 134篇柴常春
  • 128篇丁瑞雪
  • 122篇李跃进
  • 104篇刘马良
  • 98篇顾华玺
  • 66篇王琨
  • 66篇李迪
  • 63篇贾护军
  • 61篇李娅妮
  • 58篇刘毅
  • 50篇汪家友
  • 50篇袁嵩
  • 47篇曹震
  • 44篇尹湘坤
  • 41篇周端

传媒

  • 85篇西安电子科技...
  • 56篇物理学报
  • 32篇电子器件
  • 31篇电路与系统学...
  • 31篇固体电子学研...
  • 26篇Journa...
  • 23篇微电子学
  • 22篇半导体技术
  • 19篇电子与信息学...
  • 18篇微电子学与计...
  • 12篇计算物理
  • 9篇功能材料与器...
  • 8篇真空科学与技...
  • 7篇压电与声光
  • 6篇传感器技术
  • 6篇西北大学学报...
  • 6篇计算机辅助设...
  • 6篇微计算机信息
  • 6篇现代电子技术
  • 6篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 77篇2023
  • 74篇2022
  • 116篇2021
  • 117篇2020
  • 157篇2019
  • 90篇2018
  • 143篇2017
  • 67篇2016
  • 70篇2015
  • 85篇2014
  • 43篇2013
  • 55篇2012
  • 49篇2011
  • 55篇2010
  • 32篇2009
  • 69篇2008
  • 46篇2007
  • 52篇2006
  • 58篇2005
共 1,595 条 记 录，以下是 1-10
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基于伪随机码的随机化通道校准方法和系统
本发明公开了一种基于伪随机码的随机化通道校准方法和系统，用于多通道时域交织模数转换器，所述方法包括：在多通道时域交织模数转换器的M路标准通道之外增加ΔM路随机化通道，形成M+ΔM路通道；产生对M+ΔM个通道进行通道选择的...
任晓倩刘术彬朱樟明杨银堂
一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法
本发明涉及一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法，包括：构建第一多尺度特征提取单元；根据所述第一多尺度特征提取单元构建M个多尺度特征提取单元，形成偏置校正网络；根据所述第一多尺度特征提取单元构建N个多尺度特征提取单元...
赖睿官俊涛徐昆然李奕诗王东杨银堂王炳健周慧鑫秦翰林
文献传递
具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合，在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层，并采用深漏区结构，漏区...
段宝兴黄芸佳王彦东杨鑫孙李诚杨银堂
文献传递
用于PFM模式升压型DC-DC转换器的自适应导通时间控制电路
本发明提供一种适用于PFM模式的升压型DC‑DC转换器的自适应导通时间控制电路(10)，包括输入电压采样与偏置模块(100)、电容充放电模块(101)及电压比较与逻辑产生模块(102)；其中，所述输入电压采样与偏置模块(...
刘帘曦廖栩锋黄文斌杨银堂朱樟明
文献传递
基于光互连的并行访问存储系统
本发明公开了一种基于光互连的并行访问存储系统，主要解决现有电总线存储系统访问带宽低，访问延时大，面积开销大，板级电路数据速率低的问题。其包括光传输层(101)和存储层(103)，光传输层上设有光发射器，光接收器，U形波导...
顾华玺王康杨银堂陈可王小鹭
文献传递
一种两阶段TSV智能热力协同优化方法
本申请涉及集成电路领域，具体提供了一种两阶段TSV智能热力协同优化方法，该方法包括如下步骤：S1，构建模型，并确定最佳网格尺寸；S2，粗网格低精度快速优化；S3，细网格高精度精确优化；S4，最优参数的输出和验证。本发明提...
单光宝张艺潇李国良郑彦文杨子锋杨银堂
一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法
本发明公布一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法，已解决现有N型硅半导体材料禁带宽度较小问题。其基本单元是基于Si晶胞的Si<Sub>x</Sub>C<Sub>y</Sub>P<Sub>z</Sub>超晶胞，x+y+z＝1，...
段宝兴王雨龙杨银堂
文献传递
一种具有变K介质侧边的VDMOS器件
本发明公开一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，该新型结构通过依次填充多种不同介电常数(K值)的介质构成的侧边层产生新的电场峰，调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布，增强了横向电场调制效应，使漂移区可以进行更高浓度的掺杂...
袁嵩段宝兴蔡海杨银堂
文献传递
n-SiC欧姆接触的研究进展
在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结...
张娟柴常春杨银堂贾户军
关键词：金属结构掺杂
文献传递
一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：5
2008年
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
关键词：带隙电压基准源
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