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杨静
作品数:
28
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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理学
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合作作者
杨洪星
中国电子科技集团公司
张伟才
中国电子科技集团公司
韩焕鹏
中国电子科技集团公司
庞炳远
中国电子科技集团公司
索开南
中国电子科技集团公司
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一种MEMS器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法
本发明涉及一种MEMS器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法,改变了单晶炉热场的上下保温层厚度,优化了热场的纵向温度梯度,使用新型结构的导流筒,改善了氩气流场结构,采用磁场拉晶,并随着熔硅减少,逐渐增强磁场强度,以保证晶体...
韩焕鹏
杨洪星
陈晨
何远东
杨静
范红娜
庞炳远
王雄龙
张伟才
文献传递
一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下:步骤一,采用强光灯下目检的方式,对表面质量进行初步判断;步骤二,强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测;步骤三,小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
索开南
杨洪星
张伟才
庞炳远
李聪
陈晨
杨静
王雄龙
郑万超
一种变R值晶片边缘倒角方法
本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法,步骤为首先进行砂轮设计,针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R值的砂轮,其余槽可以根据需要进行设计;其次将砂轮安装到全自动倒角机上;再次进行边缘初步成型是使用半径为R1的槽对晶片进行...
杨洪星
刘玉岭
范红娜
韩焕鹏
何远东
陈晨
陶术鹤
赵权
杨静
文献传递
磷酸镓晶体压电特性初探
本文通过磷酸镓(GaPO4)和钽酸锂(LiTaO3)上的滤波器对比测试,间接推算出GaPO4基片的的机电耦合系数、相对介电常数、SAW速度。最后通过滤波器的高低温动态性能测试出了GaPO4的频率温度曲线。
曹亮
杨静
关键词:
磷酸镓
压电特性
钽酸锂
滤波器
介电常数
文献传递
一种铌酸锂单晶的变速切割方法
本发明公开了一种铌酸锂单晶的变速切割方法。基本步骤为:1、用胶水粘接铌酸锂单晶,保证晶向在合格范围内;2、聚乙二醇和碳化硅微粉按照一定比例配置成切割砂浆;3、将粘接好的铌酸锂单晶放入多线切割机的工作台工位中,将工作台的匀...
王雄龙
杨洪星
张伟才
杨静
李聪
陈晨
索开南
庞炳远
文献传递
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺,这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤,各抛光步骤均使用同一种抛光布,不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液,依靠各抛光步骤之间以及各项工艺...
陈晨
杨洪星
索开南
李聪
庞炳远
杨静
王雄龙
张伟才
赵权
文献传递
一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下:步骤一,采用强光灯下目检的方式,对表面质量进行初步判断;步骤二,强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测;步骤三,小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
索开南
杨洪星
张伟才
庞炳远
李聪
陈晨
杨静
王雄龙
郑万超
文献传递
一种磷化铟晶片加工方法
本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程:1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断;2、将头尾切断后的晶锭在<Image file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" he="19" i...
索开南
杨洪星
韩焕鹏
张伟才
庞炳远
徐聪
王雄龙
杨静
陈晨
文献传递
晶片厚度测试仪的测量能力指数探讨
被引量:1
2019年
以电容法厚度测试仪器为例,分析了厚度标准样片、重复性、环境温度变化以及厚度公差对测量能力指数的影响。结果表明,尽可能地降低测试环境的温度变化、选用高质量的厚度标准样片能够使得厚度测试仪器具有较高的测量能力指数;最后对准确表征厚度测试仪器的测试能力指数给出了建议。
杨洪星
杨静
张颖武
韩焕鹏
关键词:
晶片
扩展不确定度
一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法
本发明公开了一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法。该装置采用卧式结构,由上下两部分组成去边圆盘,通过卡槽固定;内部中空,填充吸水海绵吸收HF溶液;去边圆盘有凹槽,凹槽处有用于渗出HF溶液的通孔,凹槽外缠有摩擦布吸附HF溶液...
索开南
杨洪星
张伟才
庞炳远
王雄龙
杨静
徐聪
何远东
陈晨
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