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楚兴丽

作品数:13 被引量:13H指数:3
供职机构:河南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河南省创新型科技人才队伍建设工程项目河南省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学

主题

  • 4篇第一性原理
  • 4篇极化子
  • 3篇第一性原理研...
  • 3篇施主
  • 3篇束缚能
  • 2篇导体
  • 2篇杂质态
  • 2篇闪锌矿
  • 2篇锌矿
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇密度泛函
  • 2篇类氢杂质
  • 2篇类氢杂质态
  • 2篇极化子效应
  • 2篇极性半导体
  • 2篇泛函
  • 2篇半导体
  • 2篇X
  • 1篇电离

机构

  • 12篇河南师范大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇新乡医学院
  • 1篇河南省光伏材...

作者

  • 12篇楚兴丽
  • 4篇刘自信
  • 3篇路战胜
  • 3篇杨宗献
  • 2篇张岩星
  • 1篇张海霞
  • 1篇张莹
  • 1篇刘亚
  • 1篇秦志杰
  • 1篇徐国亮
  • 1篇王艳文
  • 1篇王天兴
  • 1篇赖振讲
  • 1篇刘平
  • 1篇朱遵略
  • 1篇杜爱慧
  • 1篇耿振铎

传媒

  • 6篇河南师范大学...
  • 3篇原子与分子物...
  • 1篇科技导报
  • 1篇大学物理

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
极性半导体异质结构中束缚极化子的电离能
2004年
本文研究任意磁场存在下阶梯阱内类氦杂质的极化子效应,我们分别给出了束缚在类氦施主杂质中心的单个和双个极化子在磁场中的哈密顿,计算了它们对类氦杂质束缚能的影响.结果表明,势垒的高度、量子阱的宽度以及杂质中心在阱中的位置对束缚能都有重要的影响,并且阶梯阱的存在也增强了极化效应.最后,我们将对这一结果进行合理地解释.
楚兴丽刘自信
关键词:束缚能
半导体异质结构中的极化子理论研究
2001年
刘自信楚兴丽刘亚秦志杰
关键词:变分法
Rh在CeO_2(111)表面吸附的第一性原理研究被引量:3
2010年
采用基于广义梯度近似的投影缀加平面波(Projector augmented wave)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型,用第一原理计算方法,计算并分析了Rh在CeO_2(111)表面吸附所形成的Rh/CeO_2(111)界面体系的吸附能,价键结构和局域电子结构.考虑了Rh在不同吸附位置的吸附情况.结果表明:1)Rh在CeO_2(111)面有较大的吸附能,表明Rh与CeO_2(111)面有较强的相互作用,而且Rh在位于表面O的三度位,且位于次层氧的顶位的吸附最强;2)Rh的4d态同衬底O的2p态有明显的杂化作用,这是Rh同CeO_2较强作用的主要原因;3)Rh被CeO_2(主要是Rh的次近邻的Ce)氧化为Rh^(3+),并伴随着Ce^(4+)→Ce^(3+)反应的发生.
路战胜楚兴丽杨宗献
关键词:三元催化剂RHCEO2密度泛函理论
CdS,ZnO_(1-x)S_x电子结构和光学特性的第一性原理研究
2011年
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性。计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数。研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料。ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄,而晶格常数随掺杂基本呈线性变化。就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而言,ZnO1-xSx具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善。这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利。
张海霞楚兴丽王天兴
关键词:密度泛函铜铟镓硒CDS
第一原理的原子热力学方法及反应相图分析
2021年
复相系的平衡条件及平衡性质是热力学教学的重要内容.为了使学生更加深入理解热力学的基本理论和基本知识,本文基于相平衡原理详细介绍了第一原理的热力学方法,并将相应的学术研究成果引入课堂教学中.这不仅有利于提高学生对热力学平衡性质的理解和应用,也对教学内容的设计提供了参考.
楚兴丽张岩星杜爱慧
关键词:吉布斯自由能相图
闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态
2011年
在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.
楚兴丽王艳文
关键词:耦合量子点类氢杂质态施主束缚能
量子阱中的双施主态杂质能级的束缚极化子效应
2000年
刘自信赖振讲楚兴丽
关键词:杂质能级
S在Cu(111)表面吸附的第一性原理研究被引量:4
2011年
基于广义梯度近似的投影缀加平面波(Projector augmented wave)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型,采用第一原理方法计算并分析了由S吸附所形成的S/Cu(111)界面体系的吸附结构、吸附能和局域电子结构,考虑了不同覆盖度(1,0.25 ML)下S在不同吸附位置的吸附特性.结果表明:S原子倾向于吸附在高对称的fcc位与hcp位;由于S的负电性而使S/Cu吸附能随覆盖度的减小而增加,与之相应,S-Cu键长随覆盖度的减小而缩短.DOS图、Bader电荷分析表明杂化主要发生在S的3p态和表面Cu原子的3d态之间,表层近邻的Cu原子向S转移的电子数随覆盖度增加而减小,这表明S与Cu(111)面有强的相互作用.
楚兴丽路战胜杨宗献
关键词:CU(111)第一性原理电子结构
阶梯量子阱中极化子效应的增强
2002年
刘自信楚兴丽刘平
关键词:极化子效应极性半导体施主杂质
AlN^x(x=0,-1)基态的结构和解析势能函数
2010年
采用密度泛函理论的B3LYP/6-311+G(3df)方法优化计算了AlN(X3Π)分子和AlN-(X2∑+)离子基态的平衡结构、振动频率和离解能.根据原子分子反应静力学原理,导出了AlN(X3Π)分子和AlN-(X2∑+)离子的合理离解极限,利用Murrell-Sorbie势能函数和理论计算结果得到基态相应的解析势能函数,并由光谱数据和解析势能函数的关系计算了基态的光谱数据(eα,Be,ωe和ωeχe),计算结果与实验数据符合得相当好.
耿振铎楚兴丽徐国亮朱遵略
关键词:离解极限势能函数
共2页<12>
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