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沈向前

作品数:6 被引量:19H指数:4
供职机构:贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇计算机
  • 3篇计算机模拟
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇掺杂
  • 1篇导体
  • 1篇低真空
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电特性
  • 1篇立方相
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇蒙特卡罗方法
  • 1篇结构和光学性...

机构

  • 6篇贵州大学

作者

  • 6篇沈向前
  • 6篇谢泉
  • 4篇肖清泉
  • 4篇陈茜
  • 4篇丰云
  • 2篇高冉
  • 2篇王永远
  • 1篇张晋敏
  • 1篇余志强

传媒

  • 2篇真空
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究
2012年
采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.
沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云
关键词:磁控溅射辉光放电计算机模拟
磁控过程的计算机模拟
2011年
本文基于蒙特卡罗方法,并结合SRIM软件,编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态。以铝靶材为例,得到了粒子在磁控溅射各物理过程的状态分布,讨论了工作参数对薄膜沉积过程的影响。模拟结果表明:溅射原子的能量主要分布在20 eV以下,当原子沉积到基片表面时,其能量主要分布在15 eV以下,但有两个分布峰值,两个分布峰值对应着快慢两种不同形式的沉积过程。原子沉积到基片表面的位置大致服从正态分布,气压p和靶基距离d影响正态分布的方差,也即影响沉积原子在基片表面分布的均匀性。功率与沉积速度呈良好的线性关系,在工作气压为1 Pa,靶基距离为60 mm的条件下,当入射粒子的能量为250 eV时,模拟得到的功率效率最大。
沈向前谢泉肖清泉余志强
关键词:磁控溅射蒙特卡罗方法计算机模拟
Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量:4
2013年
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜
关键词:半导体薄膜MG2SI磁控溅射
K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究被引量:5
2012年
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似(GGA)对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1(0)=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
丰云谢泉高冉王永远沈向前陈茜
关键词:掺杂电子结构光学性质第一性原理
磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究被引量:9
2012年
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素。本文用有限元分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particlein cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响。模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小。模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好。
沈向前谢泉肖清泉丰云
关键词:磁控溅射计算机模拟
K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量:5
2012年
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
丰云谢泉高冉沈向前王永远陈茜
关键词:掺杂电子结构光学性质第一性原理
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