潘佩聪
- 作品数：19 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)^(4-)的自旋极化MS-X_α计算
- 1991年
- 本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)^(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。
- 祝生祥杨宝成林远齐祝继康潘佩聪邓佩珍颜声辉
- 关键词：自旋极化
- 感应加热温场上移法—一种新的梯度法晶体生长技术
- 1991年
- 介绍了一种新的温度梯度法晶体生长技术,称为“感应加热温场上移法”(induction heatingand thermal field up-shift method,ITUM),该法是用钼坩埚在氢气气氛下直接感应加热,使其中的原料熔化。保持坩埚不动,通过线圈的上移,实现熔体的凝固结晶。已用这种方法成功地长出光学质量良好的掺钛氧化铝可调谐激光晶体。本文介绍这种方法的工艺装置和生长过程,给出初步的激光实验和晶体质量的检测数据:对于从熔体中生长高温晶体具有重要的意义。
- 柴耀颜声辉潘佩聪邓佩珍
- 关键词：激光晶体晶体生长
- Mg_SiO_4:Cr^(3+)晶体的生长习性被引量：1
- 1991年
- 分别沿a、b、c轴三种取向,用提拉法生长了Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体;用X射线和光学方法测定了各个显露面,确定其密勒指数。利用修改的Hartman理论,计算了几个重要显露面的吸附能。根据吸附能大小判断了显露面的顺序,理论结果与实验结果相符。
- 夏海平潘佩聪胡兵邓佩珍
- 关键词：硅酸镁晶体吸附能
- 引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量：1
- 1991年
- 用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
- 关键词：铬提拉法
- 晶体生长中的温度场问题
- 潘佩聪
- 关键词：晶体生长温度场
- 镁橄榄石可调谐激光的研究被引量：3
- 1993年
- 本文报道了室温下镁橄榄石可调谐激光的实验结果。采用调QNd∶YAG脉冲激光作为泵浦源,可调谐波长范围为1.167μm到1.332μm。输出能量为11.5mJ,转换效率为16％。倍频后,获得从0.584μm到0.666μm的倍频激光输出。
- 丘治刘晔褚春霖李庆国潘佩聪朱洪斌
- 关键词：晶体可调谐激光器镁橄榄石
- 影响晶体提拉法生长实验的传热学参数
- 1992年
- 潘佩聪颜声辉等
- 关键词：晶体生长传热学
- 静态温梯法中纵向温度分布对固液界面形状的影响被引量：1
- 1992年
- 本文证明了静态温梯法中坩埚侧壁处的纵向温度分布 T_(?)(z)的函数形式,对坩埚中固液等温面的凸度有着重要影响作用。指出通过温度场“调零”过程后,利用(?)~2T_(?)(z)/(?)z^2的符号和大小来判断坩埚中固液面凸度分布情况。并且认为在实际工作中T_(?)(z)可以用热电偶在坩埚外壁处测量而得到。
- 潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
- 关键词：温梯法等温线固液界面凸度
- 引上法生长Cr:Mg_2SiO_4晶体中铬的分布和价态被引量：1
- 1994年
- Cr:Mg_2SiO_4晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr^(3+)和Cr^(4+).不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr^(3+)离子取代Mg^(2+)离子,Cr^(4+)离子取代Si^(4+)离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^(3+)离子氧化成Cr^(4+)离子.
- 朱洪滨王四亭颜声辉柴耀侯印春潘佩聪
- 关键词：铬离子分凝系数敏化作用提拉法
- 静态温梯法中瞬时降温速率对固液界面形状的影响被引量：1
- 1992年
- 本文用解析和数值计算的方法,证明了静态温梯法晶体生长中,瞬时降温速率有使固液等温面下移且变得更凹的倾向,定义了降温显热数 De=R^2pc_pCo/k(T_h-T_c),用来表征瞬时降温速率使固液等温面变凹的程度。
- 潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
- 关键词：晶体生长速率
