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王一宇

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇终端结构
  • 6篇终端区
  • 5篇发射区
  • 4篇场限环
  • 3篇击穿电压
  • 2篇阳极
  • 2篇有源
  • 2篇终端
  • 2篇斜角
  • 2篇门极
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇功率器件
  • 1篇沟槽
  • 1篇高温稳定性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 7篇西安理工大学

作者

  • 7篇王一宇
  • 6篇王彩琳

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种场限环-负斜角复合终端结构
本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p<Sup>+</Sup>...
王彩琳王一宇
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一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构
本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方依次为n型FS层、p<Sup>+</Sup>阳极区及其阳极；在有源区中，n...
王彩琳王一宇
适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构及其制备方法
本发明公开了一种适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方依次为n型FS层、p<Sup>+</Sup>阳极区及其阳极电极；在有...
王彩琳王一宇
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一种场限环-负斜角复合终端结构
本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方设置有n型场阻止层，在n型场阻止层下方设置有p<Sup>+</Su...
王彩琳王一宇
文献传递
适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构及其制备方法
本发明公开了一种适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方依次为n型FS层、p<Sup>+</Sup>阳极区及其阳极电极；在有...
王彩琳王一宇
文献传递
一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构
本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>-</Sup>衬底下方依次为n型FS层、p<Sup>+</Sup>阳极区及其阳极，FS层是指GC...
王彩琳王一宇
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功率器件结终端结构的设计与验证
每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和使其发展的强大动力。功率MOS器件、IGBT及门极换流晶闸管(GCT)作为新型电力半导体器件,在电力...
王一宇
关键词：电力半导体器件终端结构击穿特性
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