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王文军
作品数:
77
被引量:5
H指数:2
供职机构:
中国科学院物理研究所
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北京市科技计划项目
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合作作者
陈小龙
中国科学院物理研究所
李辉
中国科学院物理研究所
王刚
中国科学院物理研究所
左思斌
中国科学院物理研究所
鲍慧强
中国科学院物理研究所
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王文军
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2008
3篇
2004
3篇
2003
共
77
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生长碳化硅单晶的方法
本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法,其包括如下步骤:(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内;(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中;(3)然后,采用第一保护性气体进行洗炉,并控制生长炉的真空度;(4)然后,在...
陈小龙
杨乃吉
李辉
王文军
用于制备3C-SiC单晶的方法
本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法,其包括以下步骤:(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托,然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆;(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中;(3)然后,将所述石墨坩埚和石墨提拉杆...
陈小龙
李辉
王国宾
盛达
王文军
郭建刚
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法,利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯,其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控,所制备的石墨烯结构完整性高,硼掺杂均匀性好。
陈小龙
郭丽伟
李治林
芦伟
贾玉萍
陈莲莲
郭钰
王刚
王文军
文献传递
用Li_3N和Ga生长块状GaN单晶的生长机制
用Li_3N和Ga作初始原料,在较温和的条件下(800℃,1~2atm),生长出了尺寸为1~4mm的无色透明六方GaN片状单晶。通过一系列的实验结果,揭示了该方法的晶体生长机制。得到的GaN的形貌用光学显微镜和扫描电子显...
王文军
宋有庭
袁文霞
曹永革
吴星
陈小龙
关键词:
GAN
晶体生长
文献传递
物理气相传输法AlN单晶生长
III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光...
王文军
左思斌
鲍慧强
王刚
王军
陈小龙
文献传递
用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法
本发明提供一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法,其包括如下步骤:(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差,获得第一表面的接触电势差和第二表面的接...
李辉
陈小龙
王国宾
盛达
王文军
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密,消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性,抑制了晶体背面蒸...
陈小龙
彭同华
杨慧
王文军
倪代秦
王皖燕
文献传递
SiC单晶中的微管检测
<正>碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,具有较高的热导率、高的击穿场强、高的电子迁移率以及其稳定的化学性质,使得碳化硅在高频、高压和高温器件方面具有广阔的应用前景[1-2]。要实现SiC基器件的优异性能,高质量的SiC晶...
徐春华
王文军
陈小龙
文献传递
碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统
本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括:将碳化硅籽晶置于坩埚的底部;将原料块覆盖在碳化籽晶上;其中原料块包括硅元素和碳元素;将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域;对坩埚进行加热,...
陈小龙
王国宾
郭建刚
李辉
王文军
盛达
Mg掺杂CaCu3Ti4O12体系介电性能的优化
我们报道了Mg掺杂对CaCu3Ti4O12体系介电性能的影响。测量频率为200 Hz-200 kHz,测量温度为58 K-473 K。我们发现,在1kHz的测量条件下,Mg的加入使得室温介电常数提高了12%到20%,并且...
李苗
蔡格梅
张道范
王皖燕
王文军
陈小龙
关键词:
介电性能
掺杂改性
镁离子
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