王荣华
- 作品数：51 被引量：15H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
- 4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
- 2008年
- 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
- 俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究
- 1999年
- 本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量。
- 江宁臧岚江若琏朱顺明刘夏冰程雪梅韩平王荣华胡晓宁方家熊
- 关键词：硅化学气相淀积
- 一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
- 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2—40倍。本方法可以得明显低...
- 张荣顾书林郑有炓韩平王荣华胡立群
- 文献传递
- 化学气相淀积的生长设备
- 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间...
- 韩平赵红谢自力王荣华王琦夏冬梅修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH<Sub>4</Sub>、C<Sub>2</Sub>H<Sub>4</Sub>为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C<Su...
- 韩平王荣华夏冬梅刘成祥谢自力赵红修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
- 文献传递
- AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
- 2005年
- 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
- 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
- 关键词：CVD光致发光
- 化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置
- CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生...
- 韩平吴军王荣华王琦于乐俞斐赵红华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- 危机下的转机
- 本研究以时间为经,以西北五省和主要领域为纬,主要论述在战前与战时各省在交通、水利、移民垦殖及工业四个开发呼声最高,成效最为显著,对西北地区影响最巨的经济开发活动。本研究力图以危机的视角,通过文本来考察和分析经济开发的背景...
- 王荣华
- 关键词：国民政府经济开发
- 文献传递
- 一种用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法
- 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所...
- 施毅郑有斗刘建林张荣顾书林韩平汪峰陆阳朱顺民胡立群王荣华沈波
- 文献传递
- 危机下的转机——国民政府时期的西北经济开发研究
- 本研究以时间为经,以西北五省和主要领域为纬,主要论述在战前与战时各省在交通、水利、移民垦殖及工业四个开发呼声最高,成效最为显著,对西北地区影响最巨的经济开发活动。本研究力图以危机的视角,通过文本来考察和分析经济开发的背景...
- 王荣华
- 关键词：国民政府经济开发
